【技术实现步骤摘要】
本技术特别涉及一种快速传出掉样的mbe腔体结构及分子束外延生长系统,属于真空外延生长设备。
技术介绍
1、现代科学技术的快速发展使人们对样品生长质量的要求越来越高,尤其是低维纳米体系的研究更加要求晶体薄膜的高质量,这是研究其性质的基础,以开发其巨大的应用潜力。低维纳米体系的制备通常采用机械剥离、化学气相沉积以及分子束外延技术(mbe)的方法制备,其中mbe法由于具有可以生长出高质量、大面积的薄膜以及可以精确控制薄膜层数、掺杂比例等优势而被广泛应用。通常与一些超高真空设备空(ultra-high vacuum,uhv)如扫描隧道显微镜(stm)、角分辨光电子能谱(arpes)、x射线光电子能谱(x-rayphotoelectron spectroscopy,xps)等结合使用以进行样品表征及性能测试。样品的高质量意味着对超高真空(uhv)环境的需求愈专利技术显。同时样品在分子生长,性能表征,器件测试等相关设备之间的转移也至关重要;因为在转移时,样品表面极易受到大气中的气体分子吸附以及杂质的污染。为了解决表面氧化、吸附和尘埃污染等问题,中国
...【技术保护点】
1.一种快速传出掉样的MBE腔体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的快速传出掉样的MBE腔体结构,其特征在于:所述连接通道沿重力方向设置在所述MBE生长腔的底部。
3.根据权利要求2所述的快速传出掉样的MBE腔体结构,其特征在于:所述MBE生长腔内部还设置有引导结构,所述引导结构具有指向所述连接通道的引导斜面。
4.根据权利要求3所述的快速传出掉样的MBE腔体结构,其特征在于:所述样品引导结构为环绕所述连接通道设置的环形结构,或者,所述MBE生长腔内部设置有多个所述引导结构,多个所述引导结构环绕所述连接通道设置。
>5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种快速传出掉样的mbe腔体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的快速传出掉样的mbe腔体结构,其特征在于:所述连接通道沿重力方向设置在所述mbe生长腔的底部。
3.根据权利要求2所述的快速传出掉样的mbe腔体结构,其特征在于:所述mbe生长腔内部还设置有引导结构,所述引导结构具有指向所述连接通道的引导斜面。
4.根据权利要求3所述的快速传出掉样的mbe腔体结构,其特征在于:所述样品引导结构为环绕所述连接通道设置的环形结构,或者,所述mbe生长腔内部设置有多个所述引导结构,多个所述引导结构环绕所述连接通道设置。
5.根据权利要求1所述的快速传出掉样的mbe腔体结构,其特征在于:至少所述连接通道的内壁的局部是沿所述mbe生长腔指向所述快速传样腔的方向倾斜的斜面。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:张莹莹,陈爱喜,李坊森,冀连连,龚忠苗,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:新型
国别省市:
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