一种基于DBC互连的功率半导体封装结构的封装方法技术

本发明专利技术公开了一种基于DBC互连的功率半导体封装结构的封装方法，本发明专利技术采用DBC互连的方式，相较于传统的金属线键合，通过大尺寸铜柱连接上下DBC板，该方式有利于减小杂散电感，同时铜柱还能够增强散热效果；本发明专利技术提供的相变材料，在碳纤维表面原位生成纳米氮化硅，通过原位合成，纳米氮化硅可以在碳纤维表面形成均匀的涂层，避免了共混过程中出现的颗粒聚集问题，同时采用原位生成的方式，能够在微观结构上形成有效的热传导路径，降低热界面热阻，增加热传导效率，从而提升相变材料的导热性能；随后采用硬脂酸对碳纤维负载纳米氮化硼材料进行处理，提高了碳纤维负载纳米氮化硼材料在石蜡中的分散性能，进一步提高了热传导的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件封装，具体涉及一种基于dbc互连的功率半导体封装结构的封装方法。

技术介绍

1、目前已有的大部分商用氮化硅（sic）器件仍采用传统的硅（si）器件的封装方式，这种方式已经在电子器件行业中得到了广泛应用并且相对成熟。具体流程通常包括几步：先通过焊锡工艺将sic芯片的背部焊接到基板上，这个基板常常是金属材料，起到散热和支撑的作用；随后利用金属键合线将芯片的正面电极引出，从而实现电气连接；为了保护芯片和连接结构，以及提高器件的可靠性，通常会进行塑封或灌胶处理。传统封装技术因其成熟、成本低廉，并且能够兼容和替代现有的si基器件，因而得到了广泛的接受。

2、然而，采用传统封装结构的sic器件也面临着一些显著的挑战，尤其是在高频和快速开关应用中。由于这些封装方式的特点，导致器件的杂散电感参数往往较大。杂散电感是影响开关性能的重要因子，尤其在sic器件快速开关时，会导致严重的电压过冲现象，这种电压过冲不仅会损坏器件本身，还会对电路的稳定性构成潜在威胁；此外，较大的杂散电感会引起开关损耗的增加，实现高效率操作变得更加困难，同时也会提高电磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于DBC互连的功率半导体封装结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤S01中，加热搅拌处理的温度为60-80℃，时间为2-5h。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤S02中，预处理碳纤维和硼源溶液的用量比为1g：5-10mL。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤S02中，硼源溶液的质量分数为1-2%。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤S02中，硼源选自氧化硼或硼酸盐。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步...

【技术特征摘要】

1.一种基于dbc互连的功率半导体封装结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤s01中，加热搅拌处理的温度为60-80℃，时间为2-5h。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤s02中，预处理碳纤维和硼源溶液的用量比为1g：5-10ml。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤s02中，硼源溶液的质量分数为1-2%。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊峰，葛崇祜，陈建良，
申请(专利权)人：芯立汇科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：