等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其具备：等离子体处理室，收容被处理基材；输送装置，将所述被处理基材输送到所述等离子体处理室内；电感耦合型线状天线，用于产生等离子体；偏置电极，对等离子体电位进行调制；以及加热装置，加热所述被处理基材，所述偏置电极的与长边方向垂直地切断的断面为穹顶形或U形的箱形，在该偏置电极内所述电感耦合型线状天线以及所述加热装置大致平行于所述偏置电极的长边方向配置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够连续地实施多个等离子体处理工序的等离子体处理装置。

技术介绍

1、专利文献1中公开了一种等离子体处理装置，具有以保持气密地覆盖设置于真空容器的壁面的开口部的方式安装的板状的高频天线导体，对该天线导体的长边方向的一方的端部供给高频电力，将另一方的端部直接接地，使高频电流流过，利用在天线导体的附近产生的感应电磁场，生成等离子体，使用该等离子体对被处理基板进行等离子体处理。另外，专利文献2中公开了一种同时设置有正副两根天线导体的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献1：日本专利公报特许第5747231号

4、专利文献2：日本专利公开公报特开2016-149287号

5、在利用等离子体处理装置的基板材料的等离子体处理工序中有基板表面的清洗工序、离子注入工序、或类金刚石碳(以下也记载为dlc)膜的形成工序等多个等离子体处理工序。在这些工序中，需要相对于放电等离子体的等离子体电位使被处理基材成为负电位，边进行离子照射边进行等离子体处理。在专利文献1以及2中记载的等离子体处理装置中，通过相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边正则，铃木泰雄，
申请(专利权)人：等离子体成膜有限公司，
类型：发明
国别省市：