一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构制造技术

本技术属于晶圆刻蚀设备技术领域，具体地说是一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，包括晶背防护罩，还包括若干组配合设置的直喷管、螺纹堵头及弹性涨紧圈，晶背防护罩的顶部上开设有若干个喷管安装孔道，每个喷管安装孔道分别与对应的一组直喷管、螺纹堵头及弹性涨紧圈配合使用。本技术的晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，能够方便可靠地安装直喷管，且可确保安装后直喷管准确保持预设角度，占用的安装空间更小，可使晶圆与晶背防护罩顶面之间保持更小的间隙，且晶圆与晶背防护罩顶面之间的空间中的设置结构也较为简单，更不容易产生紊流，可以更有效避免刻蚀药液污染晶圆背面，保证晶圆背面的防污染效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于晶圆刻蚀设备，具体地说是一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构。

技术介绍

1、目前晶圆刻蚀设备普遍通过在晶圆背面，也即晶圆下方，布置氮气喷管喷射氮气，在晶圆背面形成氮气保护空间来实现晶背防护。氮气喷管一般有采用环形或直线状的喷管等，目前喷管一般均通过专用的支架固定在位于晶圆承片台下方的晶圆刻蚀设备的电机防护罩上；电机防护罩设置于晶圆刻蚀设备的主体腔体上，并保护用于带动晶圆承片台的主轴电机。但通过支架安装喷管，会在晶圆与电机防护罩之间占用较大的空间，安装不便，安装后喷管角度也易有偏差，且在工作过程中喷管及支架使得晶圆承片台与电机防护罩之间的空间中由于设置结构复杂，会容易产生紊流，进而导致刻蚀药液污染晶圆背面，防污染效果较差。

技术实现思路

1、针对上述问题，本技术的目的在于提供一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构。

2、本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：

3、一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，包括晶背防护罩，还包括若干组配合设置的直喷管及紧固堵头组件；

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【技术保护点】

1.一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：包括晶背防护罩(1)，还包括若干组配合设置的直喷管(2)及紧固堵头组件；

2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：每组的所述紧固堵头组件均包括螺纹堵头(3)及弹性涨紧圈(4)；

3.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)均呈锥形孔状，每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的上端开口的口径大小大于该喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的下端开口的口径大小，每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：包括晶背防护罩(1)，还包括若干组配合设置的直喷管(2)及紧固堵头组件；

2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：每组的所述紧固堵头组件均包括螺纹堵头(3)及弹性涨紧圈(4)；

3.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)均呈锥形孔状，每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的上端开口的口径大小大于该喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的下端开口的口径大小，每个所述喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的上端开口的口径大小小于该喷管安装孔道(5)的螺纹孔段(501)的内孔径大小。

4.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染结构，其特征在于：每个所述弹性涨紧圈(4)的外周面的形状均与对应的喷管安装孔道(5)的涨紧孔段(502)的内周面形状相契合。

5.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备的晶圆背面防污染...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭生华，李博，孙俊主，龚明，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：