一种利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，包括如下步骤：1)在基板上沉积一层透明导电氧化物薄膜；2)在透明导电氧化物薄膜上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层；3)蒸镀晶粒生长层；4)二次处理晶粒生长层，不但有电子注入的功能，一方面让有机层和阴极结合更牢固；另一方面有了晶粒生长层可以让阴极成膜效果更好，改善了OLED产品阴极断裂问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于oled器件，尤其涉及一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法。

技术介绍

1、在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：

2、目前oled器件及产品主要是使用金属yb来作为电子注入材料，一方面这会导致阴极和有机层界面结合力较弱，容易分层，分层后oled电压会升高，寿命会越来越差；另一方面，oled产品在蒸镀阴极后容易发生断裂，导致oled产品无法点亮。

3、cn109232864a-聚合物、电子注入层、oled器件及显示装置，公开了一种聚合物、电子注入层、oled器件及显示装置。聚合物，包括a单元和b单元，其中a单元为芳香基团；电子注入层包括聚合物。oled器件，包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、的电子注入层、以及阴极。也无法解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，不但有电子注入的功能，一方面让有机层和阴极结合更牢固；另本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜厚度为10-2000nm。

3.如权利要求2所述的利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜为ITO，ITO的粗糙度要求≤1nm。

4.如权利要求3所述的利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，其特征在于，上述第2)步中，每层材料在进行蒸镀前进行梯度式升温和保温，保温时间不低于30min，...

【技术特征摘要】

1.一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜厚度为10-2000nm。

3.如权利要求2所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜为ito，ito的粗糙度要求≤1nm。

4.如权利要求3所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第2)步中，每层材料在进行蒸镀前进行梯度式升温和保温，保温时间不低于30min，速率稳定性在3％以内。

5.如权利要求4所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第2)步中，每层镀膜间隔时间在5分钟以内，每层材料镀膜偏差率和均一性控制在2％以内；真空度在0.0001pa以下；材料纯度要求99.95％以上。

6.如权利要求5所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第3)步中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩杰，李维维，卞建业，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：