一种原子层沉积镀膜方法技术

技术编号:43547461 阅读:22 留言:0更新日期:2024-12-03 12:29
本申请公开了一种原子层沉积镀膜方法,该镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,镀膜循环工艺包括:向容置有基体的反应装置内通入第一工艺气体,其中,第一工艺气体包括第一反应气体和惰性气体,且第一工艺气体的通入时长范围为0.1s‑5s;封闭反应装置,使第一工艺气体扩散吸附至基体的待镀膜表面;对反应装置进行第一吹扫处理;向反应装置内通入第二工艺气体,其中,第二工艺气体包括第二反应气体和惰性气体,且第二工艺气体的通入时长范围为0.1s‑5s;封闭反应装置,使第二工艺气体扩散吸附至基体的待镀膜表面;对反应装置进行第二吹扫处理。通过上述方式,本申请能够保证沉积钝化膜的效果的同时降低绕镀问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏领域,半导体领域和电池领域,特别是涉及一种原子层沉积镀膜方法


技术介绍

1、随着半片组件、叠瓦组件等新型组件技术的兴起,在制作组件时需要将一块电池分割成两片或多片。电池裂开的断面表面复合速率很大,会对太阳电池的电性能产生较大的影响。为了降低这种切割损失,其中一种方法是对电池切割边缘进行钝化。边缘钝化是指通过沉积的方式在电池切割面表面形成一层钝化膜,从而起到降低少子复合、提供场钝化效应、降低反射率的作用。

2、目前,ald(atomic layer deposition,原子层沉积)技术应用在边缘钝化技术上或者切片电池的切割面沉积技术上时,存在钝化效果不佳,以及在非切割表面上沉积有钝化膜、从而产生绕镀现象的问题。


技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种原子层沉积镀膜方法,能够保证沉积钝化膜的效果的同时降低绕镀问题。

2、为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种原子层沉积镀膜方法,所述镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,所述镀膜循环工艺包括:向容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种原子层沉积镀膜方法,其特征在于,所述镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,所述镀膜循环工艺包括:

2.根据权利要求1所述的镀膜方法,其特征在于,在进入第一个所述镀膜循环工艺之前,所述镀膜方法还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述反应装置进行第一吹扫处理的步骤包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,

5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述对所述反应装置进行第二吹扫处理的步骤包括:

6.根据权利要求1-4任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述封闭所述反应装置,使所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种原子层沉积镀膜方法,其特征在于,所述镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,所述镀膜循环工艺包括:

2.根据权利要求1所述的镀膜方法,其特征在于,在进入第一个所述镀膜循环工艺之前,所述镀膜方法还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述反应装置进行第一吹扫处理的步骤包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,

5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述对所述反应装...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨柳廖宝臣范方宇
申请(专利权)人:江苏微导纳米科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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