一种基于MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于功能材料技术领域，具体涉及一种基于MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜及其制备方法和应用。所述导热吸波薄膜包括以下成分：MXene量子点、氮化硼纳米片和纳米纤维。本发明专利技术通过将MXene纳米片裁剪成MXene量子点，可以避免因MXene纳米片电导率过大导致的阻抗失配问题，进一步与氮化硼纳米片结合并构筑成MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构，可以实现高导热的氮化硼和优异吸波性能的MXene的协同优势互补，使薄膜材料的导热性能和吸波性能同时得到提升。通过引入纳米纤维，可以使薄膜材料具有良好的机械柔韧性，满足实际应用需求。本发明专利技术制备工艺过程简单可控、普适性好，易于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能材料，具体涉及一种基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、近年来，随着5g通信、消费电子、新能源汽车、物联网和大数据中心等领域的蓬勃发展，推动了电子设备朝着高集成化、微型化、高频化和高性能化方向发展。电子元器件的体积越来越小，封装密度越来越高，运行频率和速率越来越快，随之而来的是电子器件发热量激增以及电磁干扰和辐射严重，这将会导致电子设备性能和可靠性降低，甚至引发热失效或信息泄露等安全问题。为了解决这些问题，电子产品在设计时普遍会采用大量的导热材料和吸波材料。然而，在电子产品逐渐追求微型化和轻薄化的背景下，留给导热材料和吸波材料的空间也在被急剧压缩，传统材料已难以满足愈加严苛的应用需求。因此，迫切需要开发兼具双功能特性的超薄导热吸波材料。

2、六方氮化硼(h-bn)，也被称之为“白色石墨烯”，其氮原子和硼原子彼此交替排列，之间存在极强的sp2共价键引力，因其优异的导热性能、电绝缘性、光学特性、热稳定性和耐腐蚀性等优点而被广泛应用于诸多领域。但是，氮化硼的介电常数较低(3.29本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，上述步骤SS1中，所述盐酸浓度为3～12M，HCl与所述氟化锂的质量比为1:0.01～1:0.1；所述氟化锂与所述MAX相陶瓷的质量比为1:0.2～1:2；刻蚀温度为25～50℃，刻蚀时间为12～60h。

3.根据权利要求1所述的基于MXene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，所述的MAX相陶瓷选自Ti2AlC、Ti3AlC2、...

【技术特征摘要】

1.一种基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，上述步骤ss1中，所述盐酸浓度为3～12m，hcl与所述氟化锂的质量比为1:0.01～1:0.1；所述氟化锂与所述max相陶瓷的质量比为1:0.2～1:2；刻蚀温度为25～50℃，刻蚀时间为12～60h。

3.根据权利要求1所述的基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，所述的max相陶瓷选自ti2alc、ti3alc2、ti3sic2、ti3alcn、v2alc、v4alc3、nb2alc、nb4alc3、ta4alc3、ta2alc、sc2alc和mo2ga2c中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，上述步骤ss2中，溶剂热法的操作为：将mxene纳米片分散到有机溶剂中，mxene纳米片的浓度为0.5～10g/l，反应温度为80～180℃，反应时间为6～24h。

5.根据权利要求1所述的基于mxene量子点/氮化硼纳米片异质结构的导热吸波薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤ss3中六方氮化硼分散到混合溶剂中的浓度为1～2...

【专利技术属性】
技术研发人员：于亚东，刘喆，刘凯，代梦艳，杨勇丽，
申请(专利权)人：中国人民解放军军事科学院防化研究院，
类型：发明
国别省市：