【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化镓材料优化，具体为氧化镓微观缺陷电学特性调节方法。
技术介绍
1、氧化镓因其宽带隙、优异的热稳定性和高击穿电场等特性，成为下一代高功率、高频电子器件的重要候选材料。然而，氧化镓材料中存在的微观缺陷会显著影响其电学特性，进而影响器件的性能和稳定性。
2、公开号为cn1 17347304a的中国专利，公开了一种氧化镓晶体原子级缺陷的检测方法，所述检测方法使用散射式扫描近场光学显微镜系统进行氧化镓晶体原子级缺陷的检测，所述散射式扫描近场光学显微镜系统通过探针尖端的散射增强作用收集到氧化镓晶体缺陷的光学信号进行成像，所述散射式扫描近场光学显微镜系统包括，原子力显微系统和光学系统，其中，上述光学系统的光源为可调谐的量子级联激光器和/或二氧化碳激光器，最优选为可调谐的量子级联激光器所述原子力显微系统包括探针和激光器。
3、现有的对于氧化镓材料的微观缺陷，其一般都是通过采用显微系统采集图像进行观察，即需要通过显微系统观察整个氧化镓材料，进行微观缺陷检查，因为其需要逐步缓慢地遍历整个氧化镓材料区域，导致其检查的...
【技术保护点】
1.氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述采集氧化镓材料的TEM图像的方法包括：
3.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述基于整体结构图像确定缺陷敏感区域的方法包括：
4.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述获取检查区域的暗场图像和高分辨率图像的方法包括：
5.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述缺陷种类识别模型的训练方法包括：
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【技术特征摘要】
1.氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述采集氧化镓材料的tem图像的方法包括：
3.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述基于整体结构图像确定缺陷敏感区域的方法包括：
4.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述获取检查区域的暗场图像和高分辨率图像的方法包括：
5.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述缺陷种类识别模型的训练方法包括：
6.根据权利要求1所述的氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，所述缺陷种类包括：位错缺陷、层错缺陷、晶界缺...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖燕青，郑东，肖迪，吕可慧，贾松松，李亚平，
申请(专利权)人：青岛华芯晶电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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