【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及智能功率模块,特别是涉及一种智能功率模块的测试电路和方法。
技术介绍
1、智能功率模块在实际应用中,可能会受到浪涌电流的影响,在智能功率模块启动瞬间,由于负载特性或电路设计原因,可能会叠加一个显著的电流峰值,进而引发极高的电流变化率(di/dt),这一急剧的电流变化,会通过智能功率模块内部igbt(insulated gatebipolar transistor,绝缘栅双极晶体管)的寄生电感、电容等参数,产生电磁干扰,并耦合至驱动集成电路(ic)的高侧输出(ho)以及内部igbt的栅极连接点。这种耦合效应可能导致栅极电压异常升高,一旦超过内部igbt的阈值电压,便会引发igbt的误开通现象。误开通不仅会扰乱电路的正常工作秩序,还可能因过流、过热等原因,最终造成igbt的性能退化甚至失效,同时也会对驱动ic构成损害风险。
2、为了确保智能功率模块在应用中具备在短时间内承受浪涌电流并安全关断的能力,在开发过程中,需要验证智能功率模块面对大浪涌电流的耐受能力和关断能力。现有技术测试智能功率模块面对大浪涌电流的耐受能力
...【技术保护点】
1.一种智能功率模块的测试电路,其特征在于,所述电路包括主回路、上桥集成电路、下桥集成电路、自举电路和第一绝缘栅双极晶体管;
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述自举电路包括依次连接的电阻、二极管和第二电容;所述第二电容的一端设置于所述第二绝缘栅双极晶体管的发射极与所述负载电感之间;所述电阻的一端与所述上桥集成电路的电源输入端连接;所述自举电路用于在所述第三绝缘栅双极晶体管导通时使所述第二电容充电。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述上桥集成电路的第二输出端设置于所述二极管与所述第二电容之间,第三输出端设置于所述第二电容与
...【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块的测试电路,其特征在于,所述电路包括主回路、上桥集成电路、下桥集成电路、自举电路和第一绝缘栅双极晶体管;
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述自举电路包括依次连接的电阻、二极管和第二电容;所述第二电容的一端设置于所述第二绝缘栅双极晶体管的发射极与所述负载电感之间;所述电阻的一端与所述上桥集成电路的电源输入端连接;所述自举电路用于在所述第三绝缘栅双极晶体管导通时使所述第二电容充电。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述上桥集成电路的第二输出端设置于所述二极管与所述第二电容之间,第三输出端设置于所述第二电容与所述第二绝缘栅双极晶体管的发射极之间;所述上桥集成电路用于在接收到的第二脉宽调制方波为高电平且所述第二电容充电至预设值时,使得所述上桥集成电路的第一输出端与第三输出端产生电压差,以控制所述第二绝缘栅双极晶体管导通。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述上桥集成电路用于在所述第二绝缘栅双极晶体管和第三绝缘栅双极晶体管短路且接收到的第二脉宽调制方波为低电平时,控制所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄芷晴,李春艳,廖勇波,马颖江,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。