【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器，尤其涉及一种混合滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、集成无源器件(integtated passive devices,ipd)是利用半导体技术制备高质量集成电容、电感器件的工艺，虽然品质因数相对声学器件较低，但可以制备大带宽滤波器。通过将ipd与声学器件协同设计，可以实现具有大带宽及优异滚降特性的滤波器的制备。
2、智能手机中的射频前端模组对尺寸有很高的要求。在常用的混合滤波器工艺中，会将ipd元件与体声波(bulk acoustic wave，baw)器件同时制备在同一基板表面，这会导致器件具有较大的面积，难以满足射频前端模组越来越小型化的需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种混合滤波器及其制备方法，以解决现有技术中ipd元件与体声波器件结合造成混合滤波器体积大的问题。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种混合滤波器，其中包括：第一谐振器和第一无源结构；
3、第一谐振器包括第一衬底和第一换能结构；
4、第一...
【技术保护点】
1.一种混合滤波器，其特征在于，包括：第一谐振器和第一无源结构；
2.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述第一基板朝向所述第一换能结构的一侧设置有凹槽，所述凹槽部分贯穿所述第一基板；
3.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述第一衬底朝向所述第一换能结构的一侧设置有空腔，所述空腔部分贯穿所述衬底；沿所述混合滤波器厚度方向，所述空腔与所述第一换能结构的工作区域至少部分交叠。
4.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述第一衬底朝向所述第一换能结构的一侧设置有空腔，所述空腔部分贯穿所述第一衬底；
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