功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件技术

本发明专利技术公开了功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件，包括步骤一：功率半导体器件包括芯片和基板，芯片设置于基板上，芯片包括晶体管层、互联层、存储单元模块、逻辑门电路模块、功能模块和输入与输出接口；步骤二：将芯片和基板通过银烧结方法相互结合；步骤三：烧结完成后，将芯片和基板冷却至室温；本方案实现了更薄的烧结银层厚度，从而功率半导体器件的封装尺寸，提高其内部模块的功率密度和集成度，同时，烧结银层具有具有良好的导热和导电性能，以及优异的抗疲劳性能，有助于提高功率半导体器件的可靠性，避免了传统软钎焊连接层中的典型疲劳效应；并且采用的烧结材料不含铅，符合现代环保标准和可持续发展理念。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件。

技术介绍

1、功率半导体器件，又称为电力电子器件，是电力电子设备中的关键组成部分，主要用于电能变换和控制电路中的大功率电子应用。这些器件通常能够处理数十至数千安的电流和数百伏以上的电压。按控制类型分类可分为半控型器件：如晶闸管(scr)，其控制特性介于可控与不可控之间，即可以通过控制信号使其导通，但一旦导通后，控制信号就失去了作用，只能通过外部电路使其关断；全控型器件：如绝缘栅双极型晶体管(igbt)、电力场效应晶体管(mosfet)等，这些器件的导通和关断都可以完全由控制信号来控制；不可控型器件：如电力二极管(power diode)，其导通和关断由器件两端的电压和电流决定，无法直接通过控制信号来控制。

2、中国专利技术专利cn117012733b提供了一种功率半导体封装结构及制造方法，功率半导体封装结构包括散热座、散热板、绝缘板和功率半导体器件，散热座形成有冷却通道，散热板搅拌摩擦焊接于散热座开设冷却通道的一侧，绝缘板设有若干装配孔，绝缘板塑封于散热板背向散热座的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.功率半导体器件的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述互联层(2)为铜层或者铝层。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述晶体管层(2)包括源极、漏极、栅极和衬底，所述源极、漏极和栅极均设置于衬底上。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述芯片(10)还包括时钟管理模块(7)和电源管理模块(8)。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于，步骤二所述的银烧结方法包括如下步骤：</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.功率半导体器件的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述互联层(2)为铜层或者铝层。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述晶体管层(2)包括源极、漏极、栅极和衬底，所述源极、漏极和栅极均设置于衬底上。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：所述芯片(10)还包括时钟管理模块(7)和电源管理模块(8)。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于，步骤二所述的银烧结方法包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件的烧结方法，其特征在于：还包括加温加压的银烧结方法，对所述s12的烧结过程进行加温加压，加压分为预压阶段和本压阶段，所述预压阶段为的温度为不低于150℃，加压0.5～1mpa...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙志斌，李海军，宣雷，
申请(专利权)人：上海智晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：