【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，具体涉及一种nmos管高边驱动电路、系统及装置。
技术介绍
1、nmos管高边输出时，驱动nmos的栅级电压需要比漏极电压高，高于它的导通阀值电压才能使nmos管导通，要使nmos管完全导通，导通阀值电压一般为10v左右，也就是说栅级电压要比漏极电压高10v左右。mos管只有完全导通状态，它的内阻少才不会发热，只有完全导通才能减少对管子的损坏。
2、目前车身控制大都用的是高边输出的智能mos管，智能mos集成了管子的驱动电路，对管子的用户来说驱动只要给一个电平信号就可，但智能mos管的价格高，可选择性差，为极少的国外公司垄断。如果采用普通的mos管，外部单独设计mos管高边驱动电路，则能够有效降低成本，并丰富选择多样性。但是，现阶段暂时没有能够满足上述需求的技术。
3、因此，为满足实际需求，现提供一种nmos管高边驱动技术。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种nmos管高边驱动电路、系统及装置，通过设计的...
【技术保护点】
1.一种NMOS管高边驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括依次连接的调节电压电路、脉冲发生电路以及升压电路；
2.如权利要求1所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于：
3.如权利要求1所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于：
4.如权利要求1所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：
5.如权利要求4所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于：
6.如权利要求1所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于：
7.如权利要求1所述的NMOS管高边驱动电路，其特征在于：
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