半导体器件及其制备方法技术

本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：基体层；种子层，位于基体层的一侧，种子层用于使得后续工艺形成的掺杂硅锗层具有压应力；掺杂硅锗层，位于种子层的背离基体层的一侧。本公开的技术方案，可以提高掺杂硅锗层与其它膜层之间的粘附力，避免在后续工艺中掺杂硅锗层与其它膜层之间出现分层现象，改善了掺杂硅锗层的凹坑缺陷，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、图1为一种半导体器件的结构示意图，如图1所示，半导体器件包括基体层以及位于基体层一侧的掺杂硅锗层。相关技术中，在基体层上形成掺杂硅锗层后，在后续的化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)工艺中，掺杂硅锗层与基体层之间会产生分层，使得掺杂硅锗层出现凹坑缺陷(pit defect)，导致产品良率下降。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种半导体器件，包括：

3、基体层；

4、种子层，位于基体层的一侧，种子层用于使得后续工艺形成的掺杂硅锗层具有压应力；

5、掺杂硅锗层，位于种子层的背离基体层的一侧。

6、在一些实施例中，掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mpa。

7、在一些实施例中，种子层的材质包括锗；或者，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mPa。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的材质包括锗；或者，所述种子层的材质包括锗和硼。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的厚度小于或等于150埃米。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层中掺杂的物质包括硼，所述掺杂硅锗层中硼的含量为1.5％～2.5％，所述掺杂硅锗层中锗的含量为35％～40％。

6.根据权利要求1-5中任一项...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mpa。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的材质包括锗；或者，所述种子层的材质包括锗和硼。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的厚度小于或等于150埃米。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层中掺杂的物质包括硼，所述掺杂硅锗层中硼的含量为1.5％～2.5％，所述掺杂硅锗层中锗的含量为35％～40％。

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李进一，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：