顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；半导体层，位于所述衬底上，所述半导体层的上表面从左到右依次包括第一低阻区、中间区域和第二低阻区，所述中间区域为正常薄膜区域；栅介质层，位于所述中间区域正上方；栅极，位于所述栅介质层正上方；源极，位于所述第一低阻区的正上方；漏极，位于所述第二低阻区的正上方；所述源极和漏极自下而上依次包括接触金属、吸氧金属和表面金属三层金属。本发明专利技术利用吸氧金属实现氧清除的方法处理与源极、漏极接触的半导体层区域，使得其形成低阻区，方法简单，易于实现；本发明专利技术能够减小晶体管的寄生电容和器件尺寸，提升器件整体电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子器件，具体地，涉及一种顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、金属氧化物半导体因其迁移率适中、低漏电、成本低、高开关比、大面积均匀性高、透明度高、柔性优异等优点，广泛应用于从大规模显示到柔性器件等领域。此外，由于低工艺温度和极低的关断电流，它们在新兴应用中具有巨大的前景，包括物联网，单片三维集成纳米电子和光子系统，这些应用非常需要低功耗和高性能。与底栅器件结构相比，顶栅金属氧化物半导体晶体管可以具有自对准和三维结构，从而能够有效减少寄生电容和沟道长度。对于在显示、逻辑、射频和后道工艺兼容的三维单片集成应用中提高器件的电性能至关重要。顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管制备的关键问题之一是半导体与源极漏极接触部分的低阻化。

2、因此，如何实现半导体与源极漏极接触部分的低阻化和制备高质量的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管是目前亟待解决的技术问题。

3、经检索，申请公开号为cn116895529a的中国专利技术专利，公开一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管，晶体管包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述吸氧金属为易与氧反应形成氧化物的金属。

3.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述表面金属为不易与氧气发生反应的金属。

4.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述接触金属为与所述半导体层功函数匹配的金属。

5.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅极的材料为钨、Mo、镍和ITO中的至少一种。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述吸氧金属为易与氧反应形成氧化物的金属。

3.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述表面金属为不易与氧气发生反应的金属。

4.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述接触金属为与所述半导体层功函数匹配的金属。

5.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅极的材料为钨、mo、镍和ito中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为铟镓锌氧化物，或者包含氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化锡中至少一种的...

【专利技术属性】
技术研发人员：司梦维，赵锦秀，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：