一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构制造技术

一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构，属于半导体元器件封装技术领域。在封装外壳多层陶瓷底座上设计不同的平底凹坑，将功能区与热沉区集成在不同的平底凹坑内，在芯片焊接区、引线键合区以及底部引脚区制作金属化层；采用金属通孔实现多层陶瓷之间的电气连接；芯片焊接区采用下沉设计，热沉区贯穿陶瓷底座本体，用于安装金属热沉，功能区高于热沉顶面，与引线键合区形成高度落差；按电路设计要求，将芯片组装在设定的区域，并进行内引线键合；封装外壳的金属盖板与陶瓷底座的环形边框之间为密封焊接。解决了现有技术存在可靠性低、占用面积大、线路繁琐复杂、散热设计不良等问题。广泛用于各类高可靠性航天、航空、汽车电子等领域。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体元器件封装，进一步来说涉及贴片式陶瓷封装，具体来说，涉及一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构。

技术介绍

1、小电流浪涌抑制器（简称器件）陶瓷贴片式封装外壳是针对一款小电流浪涌抑制器器件所设计的陶瓷贴片封装，浪涌抑制器是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的电子器件，当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或电压时，浪涌抑制器能在极短的时间内分压，从而避免外界浪涌对电回路中其他设备的损害。

2、小电流浪涌抑制器是针对微控制器、稳压器等小电流工作场合研发的一款小电流浪涌抑制器产品，针对小电流浪涌抑制电路，需设计相对应的小电流浪涌抑制器器件，与小电流浪涌抑制器器件功能相匹配，并且可在多种环境下正常使用。

3、对于在小电流使用时，对浪涌进行抑制以保护后级回路的小电流浪涌抑制器器件，现有技术中常见的电流浪涌抑制器陶瓷封装针对的是大电流使用场合，其封装外壳体积较大，对于小电流使用场所而言不适配。目前小电流浪涌抑制器是采用分立器件进行自主搭建电路实现，还没有可以借鉴的相关封装技术，存在可靠性低、占用面积大本文档来自技高网...

【技术保护点】

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【技术特征摘要】

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2.如权利要求1所述的一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构，其特征在于：

3.如权利要求2所述的一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构，其特征在于：

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5.如权利要求1所述的一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构，其特征在于：

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴凯丽，陆浩宇，陈劲威，杨超平，李治妮，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：