组合封装结构及其形成方法技术

技术编号:43487363 阅读:25 留言:0更新日期:2024-11-29 16:58
一种组合封装结构及其形成方法,所述形成方法,提供封装框架、电子元器件和硅钢片,封装框架包括第一限位口和第二限位口,以及位于第一限位口和第二限位口之间的限位部,电子元器件包括塑封部和从塑封部的侧面伸出的若干管脚,硅钢片具有开口端;将电子元器件放置到第一限位口中,使电子元器件的塑封部靠近限位部的侧面,电子元件器的管脚的前端部靠近远离限位部的部分封装框架;将硅钢片放置在第二限位口中,硅钢片的开口端朝向限位部;形成将塑封部、硅钢片和限位部固定的UV胶;将管脚的前端部和与靠近前端部的部分封装框架焊接在一起。硅钢片不会下沉,位置不容易偏移、脱落,以满足装配要求,提高了产品的性能。并且减少产品外观不良。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装领域,尤其涉及一种组合封装结构及其形成方法


技术介绍

1、市场上现有的imd(in-mold decoration)产品为组合式封装,imd产品的组成部分一般包括:硅钢片、框架、to(transistor outline)器件和塑封体。

2、现有的imd产品的封装过程一般包括:将塑封后未电镀的to器件和硅钢片通过固化胶粘结在框架上;形成包覆to器件、硅钢片和部分框架的塑封体;通过铜丝或导电胶将所述to器件的管脚与框架电连接,在所述to器件的管脚上和框架的引脚上电镀保护金属;切除所述框架中的连筋或中筋,形成成型的封装产品。

3、现有imd产品的封装方案存在以下问题:现有的固化胶无法快速固化,硅钢片在封装过程中会下沉,使得硅钢片位置无法达到装配要求,影响产品性能;to器件固化胶在塑封预热过程中会熔融,以污染塑封模具或to器件的管脚;现有固化胶中有机物在电镀和烘烤过程中易挥发,使得产品会出现色差,黄斑等镀层外观不良;to器件与框架电连接时,采用点导电胶会污染镀液,有机物导致镀层发黑发花,采用铜丝存在接触不良时会产生漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合封装结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,将所述电子元器件的管脚的前端部和与靠近所述前端部的部分封装框架焊接在一起后,还包括:形成包覆所述电子元器件的塑封部、所述硅钢片和所述封装框架的限位部的塑封层;对所述电子元器件的管脚进行电镀。

3.如权利要求1或2所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,所述封装框架还包括中筋和引脚,所述中筋环绕所述第一限位口和第二限位口,所述限位部的两端与两边的中筋连接,所述引脚数量为两个,分别位于所述第一限位口的两侧,所述引脚的一端与所述中筋连接,所述引脚的另一端与所述...

【技术特征摘要】

1.一种组合封装结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,将所述电子元器件的管脚的前端部和与靠近所述前端部的部分封装框架焊接在一起后,还包括:形成包覆所述电子元器件的塑封部、所述硅钢片和所述封装框架的限位部的塑封层;对所述电子元器件的管脚进行电镀。

3.如权利要求1或2所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,所述封装框架还包括中筋和引脚,所述中筋环绕所述第一限位口和第二限位口,所述限位部的两端与两边的中筋连接,所述引脚数量为两个,分别位于所述第一限位口的两侧,所述引脚的一端与所述中筋连接,所述引脚的另一端与所述限位部连接。

4.如权利要求3所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,对所述电子元器件的管脚进行电镀的同时,对所述引脚也进行电镀,进行所述电镀时通过所述封装框架施加电镀电流。

5.如权利要求4所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,电镀完成后,切除所述中筋,使得所述引脚和所述管脚与所述中筋分离。

6.如权利要求1所述的组合封装结构的形成方法,其特征在于,形成将所述电子元器件的塑封部、所述硅钢片和所述封装框架的限位部固定的uv胶的过程包括:在所述限位部的表面点上uv胶;通过uv光照射,使得所述uv胶快速固化;所述uv光照射后,对所述uv胶进行烘烤处理。

7.如权利要求6所述的组合封装...

【专利技术属性】
技术研发人员:何光文杨璐琳
申请(专利权)人:长电科技滁州有限公司
类型:发明
国别省市:

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