【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基于低模量超分子涂层材料的芯片、转移基板及转印方法。
技术介绍
1、转印技术是利用转移基板将大量的微型电子元器件从生长基板上转移到驱动基板上，从而装配形成二维或三维空间上有序集成阵列的技术。因该技术与现有技术传承度高，转印效率高，可转印材料范围广，所以常被用于各种电子器件的集成和制备；如micro-led显示器、柔性太阳能电池、薄膜晶体管、柔性电容器、传感器阵列、柔性电极等。这些功能系统和器件所需的材料越来越多样，结构越来越复杂，相应地，对转印技术也提出了更高的要求。
2、现有转印技术实现对芯片的巨量转移时，存在以下缺陷：
3、1)转移基板与芯片间的结合力调节困难。在转印技术中，从生长晶圆上拾取芯片的时候要求转移基板与芯片间的粘附力强，向接收基板上释放芯片的时候要求转移基板与芯片间的粘附力弱，因此操纵和调节转移基板/芯片的界面粘附力是成功转印的关键。在现有技术中，主要有两种策略对转移基板/芯片间的界面粘附力进行调节：第一，对转移基板表面进行修饰；第二，对转移基板结构进行设计。表面...
【技术保护点】
1.一种基于低模量超分子涂层材料的芯片，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和设置于芯片远离生长基板一侧的低模量超分子涂层，芯片本体为柱状结构，低模量超分子涂层全部或部分涂敷于芯片表面，低模量超分子涂层的面积小于或等于芯片本体的面积。
2.根据权利要求1所述的低模量超分子涂层材料修饰的芯片，其特征在于，所述芯片由金属、氮化镓和二氧化硅中的单一或复合材料构成。
3.一种基于低模量超分子涂层材料的转移基板，所述转移基板用于与权利要求1-2任一项所述的芯片配合使用，其特征在于，所述转移基板包括基底和低模量超分子涂层，低模量超分子涂层图案化修饰于基底表面，...
【技术特征摘要】
1.一种基于低模量超分子涂层材料的芯片，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和设置于芯片远离生长基板一侧的低模量超分子涂层，芯片本体为柱状结构，低模量超分子涂层全部或部分涂敷于芯片表面，低模量超分子涂层的面积小于或等于芯片本体的面积。
2.根据权利要求1所述的低模量超分子涂层材料修饰的芯片，其特征在于，所述芯片由金属、氮化镓和二氧化硅中的单一或复合材料构成。
3.一种基于低模量超分子涂层材料的转移基板，所述转移基板用于与权利要求1-2任一项所述的芯片配合使用，其特征在于，所述转移基板包括基底和低模量超分子涂层，低模量超分子涂层图案化修饰于基底表面，形成若干个转移位点，每个转移位点的位置及大小与被转移芯片的分布及大小相对应。
4.根据权利要求3所述的基于低模量超分子涂层材料的转移基板，其特征在于，基底由金属、塑料或二氧化硅材料构成。
5.根据权利要求3所述的基于低模量超分子涂层材料的转移基板，其特征在于，基底能够接受紫外光、红外...
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