一种高温超导膜微细图形及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高温超导膜微细图形及其制备方法，属于高温超导材料图形化制备技术领域。本发明专利技术通过对光刻工艺中的曝光、后烘、显影、刻蚀的浓度和时间以及剥离的温度和时间等多种参数进行综合优化、控制，可以使制备的高温超导膜微细图形的垂直度高，图形表面质量良好，厚度较大而且具有良好的超导性能；本发明专利技术提供的制备方法成本低廉，易于大规模生产，并且不会对待刻超导膜的结构和超导性能产生不利影响。实施例的结果显示，本发明专利技术提供的制备方法制备的高温超导膜微细图形的垂直度高，图形表面质量良好，厚度较大而且具有良好的超导性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高温超导材料图形化制备，尤其涉及一种高温超导膜微细图形及其制备方法。

技术介绍

1、高温超导膜应用于微电子器件时，超导膜的图形化加工是必不可少的步骤。目前薄膜图形化的方法主要有光刻法、改性工艺、微掩模制备工艺和加入化学修饰剂的感光溶胶-凝胶法等。为了避免传统光刻法对超导膜超导性能产生的不利影响，可选用感光溶胶-凝胶法对超导膜进行图形化制备，但是该方法也存在以下缺点：一、凝胶膜图形热处理过程中会出现收缩、开裂、坍塌等问题，导致所制备的图形厚度不够、梯形度较大，且图形表面平整度较差；二、由于所采用的化学修饰剂的感光波段与现有紫外灯主波长差距较大，(例如：现有的β-二酮类化学修饰剂苯甲酰丙酮、乙酰丙酮的感光波段分别在310nm、270nm，而现有的紫外灯的感光波段在365nm)，因此需要用较长的时间来照图形。

2、随着近几年半导体领域光刻胶的发展，光刻工艺也显现出了优势，利用光刻工艺在热处理之后的薄膜上制备图形，可以避免高温超导膜热处理过程中图形开裂的问题。其中，由于紫外光刻胶的感光波段刚好在365nm，是在薄膜上制备图形最常用的光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高温超导膜微细图形的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中高温超导膜为钇系超导膜或铋系超导膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中涂胶所用的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶为12XT-20PL-05正性光刻胶；所述负性光刻胶为KMPR1010负性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中涂胶所形成的光刻胶薄膜的厚度为3～15μm。

6.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种高温超导膜微细图形的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中高温超导膜为钇系超导膜或铋系超导膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中涂胶所用的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶为12xt-20pl-05正性光刻胶；所述负性光刻胶为kmpr1010负性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中涂胶所形成的光刻胶薄膜的厚度为3～15μm。

6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷黎，马欢，巨剑，赵高扬，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：