【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子，尤其涉及一种基板制作方法及超表面透镜。
技术介绍
1、如今，为了扩展光学器件或半导体器件的功能，通常会采用微影技术在基板处转印理想的图案，以利用包含该理想图案的基板进一步制备光学器件或半导体器件。随着对光学器件或半导体器件运算能力和效率需求的不断上升，迫切地需要减小基板上结构的线宽，以适应于诸如提升超表面透镜的算力的需求。
2、现有技术中通常利用光刻机在基板上形成图案，但光刻机所能实现的最小线宽在150nm以上，难以满足包括超表面透镜在内的高精度光学器件或半导体器件的制备。一些现有技术单纯通过调整光刻胶材料来实现较小线宽结构的曝光、显影，但随之带来的是特殊光刻胶成本上涨，以及无法批量转印图案的工艺限制，难以应用于器件量产。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于提供一种基板制作方法，以解决现有技术无法制备具有较小线宽结构的基板，且基板制作工艺无法适应于量产的技术问题。
2、本专利技术的目的之一在于提供一种超表面透镜。
3、为实现...
【技术保护点】
1.一种基板制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成具有第一宽度的第一凹槽”具体包括：
3.根据权利要求2所述的基板制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同；所述第一介质层包括紫外光刻胶，且具有高分辨率。
4.根据权利要求1所述的基板制作方法，其特征在于，所述“至少在所述第一凹槽处依次形成第一膜层和第二介质层”具体包括：
5.根据权利要求4所述的基板制作方法，其特征在于，所述“形成所述第一膜层”具体包括：通过原子层沉积法使得第一凹槽...
【技术特征摘要】
1.一种基板制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成具有第一宽度的第一凹槽”具体包括：
3.根据权利要求2所述的基板制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同；所述第一介质层包括紫外光刻胶，且具有高分辨率。
4.根据权利要求1所述的基板制作方法，其特征在于，所述“至少在所述第一凹槽处依次形成第一膜层和第二介质层”具体包括：
5.根据权利要求4所述的基板制作方法，其特征在于，所述“形成所述第一膜层”具体包括：通过原子层沉积法使得第一凹槽的槽底和侧壁均匀包覆第一膜层；其中，所述第一膜层配置为金属掩膜材料；
6.根据权利要求4所述的基板制作方法，其特征在于，在“在所述第一膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴贤丰，邱山峰，延宇豪，孙磊，
申请(专利权)人：苏州山河光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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