【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本领域涉及结合结构，并且特别地涉及电路装置和接触的面积效率提高的结合结构。
技术介绍
1、半导体元件(诸如半导体晶片或集成器件管芯)可以被堆叠并且在没有粘合剂的情况下直接结合到彼此。例如，在室温下，非导电(电介质或半导体)表面可以非常平滑，并且进行处理以增强直接共价结合，而无需在接触后施加压力。在一些混合直接结合结构中，元件的非导电场区域可以被直接结合到彼此，并且对应的导电接触结构可以被直接结合到彼此。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种结合结构，包括：
2.一种结合结构，包括：
3.一种结合结构，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和第二单片化元件间隔开不大于10微米的元件间距。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的结合结构，其中所述载体以及所述第一单片化元件和所述第二单片化元件是直接混合结合的。
6.根据权利要求3所述的结合结构，其中所述接触间距小于所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者的所述厚度的约2倍。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的结合结构，其中所述第一单...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种结合结构，包括：
2.一种结合结构，包括：
3.一种结合结构，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和第二单片化元件间隔开不大于10微米的元件间距。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的结合结构，其中所述载体以及所述第一单片化元件和所述第二单片化元件是直接混合结合的。
6.根据权利要求3所述的结合结构，其中所述接触间距小于所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者的所述厚度的约2倍。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和所述第二单片化元件包括在没有粘合剂的情况下被直接结合到所述载体的(多个)对应非导电区域的相应非导电区域。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于200微米。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于100微米。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于50微米。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于10微米。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于5微米。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距不大于2微米。
14.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距在1微米至250微米的范围内。
15.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距在1微米至100微米的范围内。
16.根据权利要求1至7中任一项所述的结合结构，其中所述接触间距在1微米至20微米的范围内。
17.根据权利要求1至15中任一项所述的结合结构，其中所述元件间距不大于20微米。
18.根据权利要求1至15中任一项所述的结合结构，其中所述元件间距不大于10微米。
19.根据权利要求6所述的结合结构，其中所述接触间距不大于所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者的所述厚度。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的结合结构，其中所述第三导电接触包括被电连接到所述第一单片化元件的电路装置的电有源接触。
21.根据权利要求20所述的结合结构，其中所述第三导电接触被连接到信号线、电源线或电接地。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者包括具有有源电路装置的集成器件管芯。
23.根据权利要求22所述的结合结构，其中所述第一单片化元件包括具有有源电路装置的集成器件管芯，并且所述第二单片化元件包括无源组件。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者利用反应离子蚀刻rie工艺被单片化。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者的最大横向宽度不大于4mm。
26.根据权利要求1至24中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件和所述第二单片化元件中的至少一者的最大横向宽度不大于2mm。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的结合结构，其中所述第一单片化元件的外边缘与所述第三导电接触之间的边缘排除距离小于100微米。
28.根据权利要求27所述的结合结构，其中所述边缘排除距离不大于50微米。
29.根据权利要求28所述的结合结构，其中所述边缘排除距离不大于10微米。
30.根据权利要求27至29中任一项所述的结合结构，其中所述边缘排除距离在1微米至100微米的范围内。
31.根据权利要求1至3中任一项所述的结合结构，其中所述第二单片化元件包括至少一个导电衬底通孔tsv。
32.一种结合结构，包括：
33.根据权利要求32所述的结合结构，还包括在没有粘合剂的情况下被直接结合到所述载体的第三单片化元件，所述第二单片化元件被设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·E·尤佐，R·坎卡尔，T·沃克曼，G·G·小方丹，G·高，J·A·泰尔，G·Z·格瓦拉，K·M·邦，L·W·米卡里米，
申请(专利权)人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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