【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的示例实施例涉及半导体装置。
技术介绍
1、随着对半导体装置的高性能、高速度和/或多功能性的需求增加，半导体装置的集成密度增大。为克服由平面金属氧化物半导体fet的尺寸缩小导致的操作特性的限制，已经为发展诸如包括鳍式沟道的鳍式场效应晶体管和可包括由栅极围绕的导电纳米片“沟道”区的栅极全环绕型场效应晶体管的半导体装置作出了努力。
技术实现思路
1、本专利技术构思的示例实施例提供了具有提高的电特性和可靠性的半导体装置。
2、根据本专利技术构思的示例实施例，一种半导体装置包括：有源图案(例如，鳍形有源图案)，其在第一方向上在衬底上延伸；以及第一沟道结构至第四沟道结构，其在有源图案的一个区上按次序堆叠，其中第一沟道结构至第四沟道结构分别包括在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠并彼此间隔开的多个第一半导体图案至第四半导体图案。还提供了一种第一栅极结构，其跨过有源图案的所述一个区，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且围绕所述多个第一半导体图案和第二半导体图案。设置第二栅极结构，...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构中的至少一个在与另一个第一接触结构相反的方向上延伸，并且所述第二接触结构中的至少一个在与另一个第二接触结构相反的方向上延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构中的至少一个的延伸长度与所述第一接触结构和所述第二接触结构中的其它接触结构的延伸长度不同。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构中的至少一个在与另一个第一接触结构相反的方向上延伸，并且所述第二接触结构中的至少一个在与另一个第二接触结构相反的方向上延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构中的至少一个的延伸长度与所述第一接触结构和所述第二接触结构中的其它接触结构的延伸长度不同。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个上接触穿通件包括连接至所述第一接触结构中的两个或更多个第一接触结构或所述第二接触结构中的两个或更多个第二接触结构的上接触穿通件。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个下接触穿通件包括连接至所述第一接触结构中的两个或更多个第一接触结构或所述第二接触结构中的两个或更多个第二接触结构的下接触穿通件。
8.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一源极/漏极...
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