【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺相关领域，尤其涉及用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法及装置。
技术介绍
1、gaas是一种常用于光电子和高频电子器件的化合物半导体材料，由于其具有高电子迁移率和宽禁带等优异性能，被广泛应用于高速电路、光电探测器、激光器等领域。gaas材料的刻蚀工艺一般分为干法刻蚀和湿法刻蚀两类。随着集成电路和光电子技术的发展，gaas刻蚀工艺的精度要求越来越高，在现有技术中刻蚀工艺参数难以精准控制，导致存在gaas刻蚀工艺优化适应度低的技术问题。
技术实现思路
1、本申请通过提供用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法及装置，解决了刻蚀工艺参数难以精准控制，导致gaas刻蚀工艺优化适应度低的技术问题，实现根据工艺性能评估结合学习空间进行强化学习，提高gaas刻蚀工艺的优化适应度的技术效果。
2、本申请提供用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法，所述方法应用于gaas刻蚀工艺的自适应优化装置，包括：引入工艺环境信息，按照所述工艺环境信息利用gaas刻蚀工艺进行实验，获得工艺实验结...
【技术保护点】
1.用于GaAs刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的用于GaAs刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，构建所述工艺性能评估模型，方法包括：
3.如权利要求2所述的用于GaAs刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，将所述工艺实验结果同步至所述工艺性能评估模型，得到工艺性能评估结果，方法包括：
4.如权利要求3所述的用于GaAs刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，基于所述工艺误差参数进行误差分析，按照误差分析结果对所述工艺性能评估模型进行增量学习，方法包括：
5.如权利要求1所述的用...
【技术特征摘要】
1.用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，构建所述工艺性能评估模型，方法包括：
3.如权利要求2所述的用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，将所述工艺实验结果同步至所述工艺性能评估模型，得到工艺性能评估结果，方法包括：
4.如权利要求3所述的用于gaas刻蚀工艺的自适应优化方法，其特征在于，基于所述工艺误差参数进行误差分析，按照误差分析结果对所述工艺性能评估模型进行增量学习，方法包括：
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：周莉，沈锋，倪春丽，张文琴，张金胜，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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