发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、焊盘电极、汇聚电极、多个扩展电极，焊盘电极设置在半导体叠层上，汇聚电极设置在半导体叠层上并连接焊盘电极，多个扩展电极均设置在半导体叠层上并连接汇聚电极；俯视来看，第二扩展电极到焊盘电极的最小间距大于第一扩展电极到焊盘电极的最小间距并小于第三扩展电极到焊盘电极的最小间距，汇聚电极包括对应于第一扩展电极和第二扩展电极之间的第一区域和对应于第二扩展电极和第三扩展电极之间的第二区域，第一区域的宽度大于第二区域的宽度。借此设置，不仅可以减少汇聚电极的整体面积，增加出光性能，还可提升发光二极管的电流扩展均匀性，提升发光二极管的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。

2、垂直型的发光二极管通过把半导体外延叠层转移到其它的基板如硅、碳化硅或金属基板上，并移除原始外延生长的衬底的工艺获得，可以有效改善外延生长衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般采用键合工艺，键合主要通过金属-金属高温高压键合，即在半导体外延叠层一侧与基板之间形成金属键合层。半导体外延叠层的另一侧提供出光侧，出光侧配置有一打线电极提供电流的注入或流出，半导体外延叠层的下方的基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体外延叠层的发光二极管。

3、目前，对于垂直型的发光二极管而言，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极、所述第二扩展电极和所述第三扩展电极之间相互平行。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极垂直连接所述汇聚电极，所述第二扩展电极垂直连接所述汇聚电极，所述第三扩展电极垂直连接所述汇聚电极。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极、所述第二扩展电极和所...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极、所述第二扩展电极和所述第三扩展电极之间相互平行。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极垂直连接所述汇聚电极，所述第二扩展电极垂直连接所述汇聚电极，所述第三扩展电极垂直连接所述汇聚电极。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极、所述第二扩展电极和所述第三扩展电极位于所述焊盘电极的同一侧。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一扩展电极、所述第二扩展电极和所述第三扩展电极之间互不重叠。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一区域的宽度是所述第二区域的宽度的1.05～2倍。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述焊盘电极具有中线，所述中线穿过所述焊盘电极的中心点，所述第一扩展电极与所述中线平行，所述第二扩展电极与所述中线平行，所述第三扩展电极与所述中线平行，所述第一扩展电极的宽度大于所述第二扩展电极的宽度，所述第二扩展电极的宽度大于所述第三扩展电极的宽度。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述焊盘电极具有中线，所述中线穿过所述焊盘电极的中心点，所述第一扩展电极与所述中线平行，所述第二扩展电极与所述中线平行，所述第三扩展电极与所述中线平行，定义所述第一扩展电极和所述第二扩展电极之间的垂直连线为第一线段，所述第二扩展电极和所述第三扩展电极之间的垂直连线为第二线段，所述第一线...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志伟，王燕云，刘壮士，郭桓邵，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：