【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻领域，特别涉及一种opc模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，为将集成电路(integrated circuit,ic)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩膜版图案，再将掩膜版图案从掩膜版表面转移至半导体芯片。
2、随着集成电路特征尺寸(critical dimension,cd)的缩小，以及受到曝光机台(optical exposure tool,oet)的分辨率极限(resolution limit)的影响，在对高密度排列的掩膜版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(opticalproximity effect,ope)，使掩膜板图形转移出现缺陷。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(optical proximity correction，opc)，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。
3、一种光学邻近修正方法是基于模型开展修正，而这种...
【技术保护点】
1.一种OPC模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，根据所述半导体结构，获得所述图形化光刻胶中图形的轮廓的步骤包括：
3.如权利要求2所述的建立方法，其特征在于，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像。
4.如权利要求3所述的建立方法，其特征在于，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，所述量测机台为扫描电子显微镜。
5.如权利要求4所述的建立方法，其特征在于，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，所述量测机台为特征尺寸
【技术特征摘要】
1.一种opc模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，根据所述半导体结构，获得所述图形化光刻胶中图形的轮廓的步骤包括：
3.如权利要求2所述的建立方法，其特征在于，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像。
4.如权利要求3所述的建立方法，其特征在于，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，所述量测机台为扫描电子显微镜。
5.如权利要求4所述的建立方法，其特征在于，通过量测机台，获得所述图形化光刻胶的图像的步骤中，所述量测机台为特征尺寸扫描电子显微镜。
6.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，对所述图形化光刻胶中图形的轮廓进行测量，获得轮廓测量值的步骤中，沿预设方向，对所述图形化光刻胶中图形的轮廓进行测量，获得轮廓测量值。
7.如权利要求5或6所述的建立方法，其特征在于，沿预设方向，对所述图形化光刻胶中图形的轮廓进行测量，获得轮廓测量值的步骤中，所述预设方向与特征尺寸扫描电子显微镜的量测方向一致。
8.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，还包括：根据所述轮廓测量值，建立opc模型之后，对所述opc模型进行验证。
9.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，形成半导体结构的步骤包括：提供光刻胶层；
10.一种光学临近修正方法，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐世斌，高大为，吴永玉，任堃，鲁苗苗，颜哲钜，姚淼红，张馨元，李翰轩，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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