一种碳材料表面TaC涂层及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体长晶技术领域，具体涉及一种碳材料表面TaC涂层，包括过渡层和表面层，通过将石墨粉、酚醛树脂、环氧树脂、无水乙醇、蒸馏水及硅烷偶联剂混合得到过渡层浆料，将过渡层浆料涂附于碳材料表面，形成过渡层；通过将TaC粉末、氧化硼粉末、酚醛树脂、无水乙醇、蒸馏水及硅烷偶联剂混合得到表面层浆料，将表面层浆料涂附于过渡层背离碳材料的一侧，形成表面层。通过本发明专利技术制备的TaC涂层碳素件抗腐蚀及抗热冲击性能更好，使用寿命更长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体长晶，具体涉及一种碳材料表面tac涂层及其制备方法。

技术介绍

1、半导体长晶一般均处于高温、高纯的环境中进行，所用到的结构件主要以碳素材质为主，如碳碳复合材料、石墨材料等。由于常用的碳素材质结构件表面存在一定的孔隙，抗腐蚀能力较低，长时间处于高温的半导体长晶环境中，容易受硅蒸汽侵蚀，导致碳材料表面破损，对硅晶体造成污染，碳材料强度也会极度下降，严重影响使用寿命。行业内已在sic涂层方面取得一定进展，但在做半导体si c外延时容易与环境气氛发生反应，影响产品质量。由于tac具有更加优异的物理和化学性能，高温化学稳定性和耐腐蚀性远高于si c，可满足2600℃的高温。采用tac涂层设备，可解决半导体晶体边缘缺陷问题，提高半导体晶体质量。

2、目前tac涂层的制备方法主要包括熔盐法、溶胶凝胶法、浆料烧结法、等离子喷涂法、化学气相沉积法(cvd)、化学气相渗透法(cvi)和物理气相沉积法(pvd)等。本专利技术立足于“浆料烧结法”，采用特殊浆料配方及涂覆手法，旨在提供高良率、低成本的tac涂层工艺，提高涂层碳素件在半导体长晶环境中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳材料表面TaC涂层，其特征在于，包括过渡层和表面层，

2.根据权利要求1所述的一种碳材料表面TaC涂层，其特征在于，按重量份，所述过渡层包括：

3.根据权利要求2所述的一种碳材料表面TaC涂层，其特征在于，按重量份，所述表面层包括：

4.根据权利要求3所述的一种碳材料表面TaC涂层，其特征在于，所述石墨粉为800-1000目高纯鳞片石墨粉，碳含量≥99.99％；

5.根据权利要求1所述的一种碳材料表面TaC涂层，其特征在于，所述TaC涂层的厚度为30-120微米；

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的一种碳材料表面T...

【技术特征摘要】

1.一种碳材料表面tac涂层，其特征在于，包括过渡层和表面层，

2.根据权利要求1所述的一种碳材料表面tac涂层，其特征在于，按重量份，所述过渡层包括：

3.根据权利要求2所述的一种碳材料表面tac涂层，其特征在于，按重量份，所述表面层包括：

4.根据权利要求3所述的一种碳材料表面tac涂层，其特征在于，所述石墨粉为800-1000目高纯鳞片石墨粉，碳含量≥99.99％；

5.根据权利要求1所述的一种碳材料表面tac涂层，其特征在于，所述tac涂层的厚度为30-120微米；

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的一种碳材料表面tac涂层的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的一种碳材料表面tac涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所述沉积过程中，在沉积温度为1050-1200℃、真空度为90...

【专利技术属性】
技术研发人员：周刚，武康娣，代旭明，王二轲，相利学，唐波，
申请(专利权)人：杭州幄肯新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：