【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及研磨用组合物。
技术介绍
1、在cmp领域中，有时配置设置有凹部的二氧化硅膜和以填埋该凹部内的方式形成的多晶硅膜，将二氧化硅膜作为阻挡层进行研磨。
2、作为表示多晶硅膜相对于二氧化硅膜容易被研磨多少的指标，使用多晶硅膜被研磨的速度与二氧化硅膜被研磨的速度之比即选择比。这是通过将多晶硅膜被研磨的速度除以二氧化硅膜被研磨的速度而求出的。为了使二氧化硅膜作为阻挡层发挥功能，优选选择比大者。
3、专利文献1中，以提供能够得到大的选择比且表面缺陷的产生少的研磨用组合物为课题，提供一种研磨用组合物，其包含二氧化硅等研磨材料和水，还可以包含四甲基氢氧化铵等碱性有机化合物。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开平10-321569公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术人等在开发新的研磨用组合物的过程中发现，现有技术中，埋入由二氧化硅膜形成的凹部内的多晶硅也被过度研磨，可能产生所谓的凹陷。本专利技术人等在进一步进行研究的过程中发现，即使控制选择比，若磨粒不适当、或研磨用组合物的ph不适当，则在研磨后多晶硅也会残留、或产生凹陷。
3、因此，本专利技术的课题在于提供一种新型的研磨用组合物，其能够减少多晶硅等应被研磨的研磨对象物的残留，并且也能够抑制凹陷。
4、用于解决问题的方案
5、本专利技术的一个方式为一种研磨用组合物，其为包含胶体二氧化硅
6、专利技术的效果
7、根据本专利技术，可以提供能够减少多晶硅等应被研磨的研磨对象物的残留、并且也能够抑制凹陷的新型的研磨用组合物。
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1.一种研磨用组合物，其为包含胶体二氧化硅、碱金属盐和水的、pH为9.0～11.5的研磨用组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述第二层的研磨速度相对于所述第一层的研磨速度为17～40。
3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述胶体二氧化硅的脉冲NMR比表面积为40m2/g以下。
4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述胶体二氧化硅的平均一次粒径超过70nm且小于100nm。
5.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述碱金属盐为碱金属的氢氧化物。
6.根据权利要求5所述的研磨用组合物，其中，所述碱金属的氢氧化物为氢氧化钾。
7.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其实质上不包含HEC、PAA、POE月桂基醚、DBS、H2O2、氨和胺中的至少任一者。
8.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其实质上不包含水溶性高分子、表面活性剂、氧化剂和具有氮原子的化合物中的至少任一者。
9.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，在所述胶体二氧化硅的浓度为1.
10.一种研磨用组合物，其实质上仅由硅烷醇基数为6个/nm2以上且22个/nm2以下的胶体二氧化硅、碱金属盐和水构成，所述研磨用组合物的pH为9.0～11.5。
11.一种研磨用组合物，其实质上仅由硅烷醇基数为6个/nm2以上且22个/nm2以下的胶体二氧化硅、碱金属盐、防腐剂和水构成，所述研磨用组合物的pH为9.0～11.5。
...【技术特征摘要】
1.一种研磨用组合物，其为包含胶体二氧化硅、碱金属盐和水的、ph为9.0～11.5的研磨用组合物，其中，
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述第二层的研磨速度相对于所述第一层的研磨速度为17～40。
3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述胶体二氧化硅的脉冲nmr比表面积为40m2/g以下。
4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述胶体二氧化硅的平均一次粒径超过70nm且小于100nm。
5.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述碱金属盐为碱金属的氢氧化物。
6.根据权利要求5所述的研磨用组合物，其中，所述碱金属的氢氧化物为氢氧化钾。
7.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其实质上不包含hec、paa...
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