【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体技术，尤其涉及一种无源器件的制造方法及无源器件。
技术介绍
1、目前的无源电容器件主要是基于半导体工艺在硅衬底或砷化镓衬底上制作，由于硅衬底和砷化镓衬底为低阻衬底，损耗较大，而且很难实现高q值电容，因此不能满足射频器件的性能要求。并且硅衬底和砷化镓衬底的成本也较高，导致无源电容器件的制造成本较高。
技术实现思路
1、为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种无源器件的制造方法及无源器件。
2、根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种无源器件的制造方法，包括：
3、在玻璃衬底的一侧表面之上依次形成第一金属层、电介质层、第二金属层及器件绝缘介质层，器件绝缘介质层包覆第一金属层、电介质层和第二金属层；第二金属层通过电介质层与第一金属层隔开；
4、在器件绝缘介质层之上形成电信号引出层，电信号引出层与第二金属层电连接；
5、在玻璃衬底背离第一金属层的一侧开设沿玻璃衬底厚度方向贯通的导电柱，导电柱与第一金属层电接触。
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【技术保护点】
1.一种无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在导电孔内形成导电柱，包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在器件绝缘介质层之上形成电信号引出层，电信号引出层与第二金属层电连接，包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在器件绝缘介质层之上形成电信号引出层，电信号引出层与第二金属层电连接，包括：
5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，在形成电极绝缘介质层之后，还包括：
6.一种无源器件，其特征在于，包括：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在导电孔内形成导电柱，包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在器件绝缘介质层之上形成电信号引出层，电信号引出层与第二金属层电连接，包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在器件绝缘介质层之上形成电信号引出层，电信号引出层与第二金属层电连接，包括：
5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，在形成电极绝缘介质层之后，还包括：
6.一种无源...
【专利技术属性】
技术研发人员：周圣钧，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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