一种多硅片晶闸管型强流开关、开关装置和开关电源制造方法及图纸

技术编号:43429261 阅读:12 留言:0更新日期:2024-11-27 12:39
本申请属于脉冲功率技术领域,具体公开了一种多硅片晶闸管型强流开关、开关装置和开关电源。本申请,通过采用AlSiC片连接基座与硅片,形成芯片单元,相邻的芯片单元之间共用一个AlSiC片,多个芯片单元叠加形成多硅片晶闸管型强流开关主体。相较于现有技术使用的铜基座,本申请使用采用AlSiC制备而成的基座,因其具备质量更轻的特点,能够减轻了多硅片晶闸管型强流开关的重量,同时,由于使用采用AlSiC制备而成的基座具备热膨胀系数可调的特点,能够减少了多硅片晶闸管型强流开关受热所带来的内部膨胀不一带来的开关内部损伤问题,提高多硅片晶闸管型强流开关的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于脉冲功率,更具体地,涉及一种多硅片晶闸管型强流开关、开关装置和开关电源


技术介绍

1、晶闸管型强流开关具有导电能力强、抗干扰能力强、可控性强、开关速度快等特点。晶闸管型强流开关可应用于高能脉冲电源。由于单个晶闸管存在耐压上限,通常采用晶闸管型强流开关串联进电路进行分压。

2、相关技术中,晶闸管型强流开关的基座通常为铜基座,铜基座存在过重的缺点,并且铜与晶闸管内部硅片等热膨胀系数相差过大,晶闸管型强流开关内部受热膨胀不一,容易引起开关内部机械损伤等问题。并且每个晶闸管型强流开关的铜基座将增大高能脉冲电源体积与重量。

3、因此,如何解决相关技术中使用铜基座增加了晶闸管强流开关的重量以及因铜基座内部受热膨胀不一导致的晶闸管强流开关内部机械损伤问题是目前亟需解决的问题。


技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷,本申请的目的在于提供一种多硅片晶闸管型强流开关、开关装置和开关电源,旨在解决相关技术中使用铜基座增加了晶闸管强流开关的重量以及因铜基座内部受热膨胀不一导致的晶闸管强流开关内部机本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,每个所述硅片中存在一个门极,通过同步触发系统同时触发每个所述硅片中的门极。

3.如权利要求2所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,所述同步触发系统,包括:

4.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,两个所述基座之间通过外壳进行固定和连接。

6.如权利要求5所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,所述外壳采用陶瓷材料制备而成。

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【技术特征摘要】

1.一种多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,每个所述硅片中存在一个门极,通过同步触发系统同时触发每个所述硅片中的门极。

3.如权利要求2所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,所述同步触发系统,包括:

4.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1所述的多硅片晶闸管型强流开关,其特征在于,两个所述基座之间通过外壳进行固定和连接。

6.如权利要求5所述的多硅片晶闸管型强流开关...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘毅欧健李柳霞曾臣乾林福昌
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:

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