基板处理装置、基板处理方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，其具备：(a)具有上部被覆盖且在内侧收纳基板的筒部的处理管；(b)设于上述筒部的侧壁且从上述侧壁向外侧突出的供给缓冲区；(c)设于上述供给缓冲区的内侧且沿上述筒部的轴的方向延伸的第一喷射装置；以及(d)多个排气部，其形成于上述筒部的上述侧壁，对原料气体进行排气，而且具有将假想面从两侧夹着而开口的一对排气部，该假想面设定成，在俯视下通过上述供给缓冲区与上述筒部的边界部处的上述筒部的周向的中心和上述筒部的轴。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基板处理装置、基板处理方法以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，作为基板处理装置的一例，已知制造半导体装置的半导体制造装置。作为半导体制造装置的一例，在日本特开2019-203182号公报、日本特开2022-52622号公报以及韩国专利公报第一01464644号中公开了对多个基板以沿上下方向保持为多层的状态进行处理的立式的半导体制造装置。在立式的半导体制造装置中，能够进行在基板的表面上形成预定的膜的成膜处理作为基板处理。

2、专利文献1：日本特开2019-203182号公报

3、专利文献2：日本特开2022-52622号公报

4、专利文献3：韩国专利公报第101464644号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在成膜处理的期间，在处理室内向基板喷射原料气体时，起因于原料气体的流动在基板表面上不均匀的状态，有时原料气体或中间体的浓度产生不均。若基板表面上的这些气体的浓度产生不均，则有可能吸附于基板表面的气体的面内均匀性降低，或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：平野敦士，笠松健太，西本英幸，守屋赳利，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：