超高纯四氯化钛的制备系统技术方案

本技术提供了一种超高纯四氯化钛的制备系统。该超高纯四氯化钛的制备系统包括：两级液相吸附装置、精馏单元和精密过滤单元，两级液相吸附装置包括串联设置的第一吸附柱和第二吸附柱，第一吸附柱设置有第一进气口，第二吸附柱设置有吸附产物出口，且第一吸附柱选自活性炭吸附柱、改性活性炭吸附柱、分子筛吸附柱或沸石吸附柱，第二吸附柱为大孔吸附树脂吸附柱；精馏单元设置有精馏入口和精馏气出口，精馏入口与吸附产物出口通过吸附产物输送管路连通；精密过滤单元设置有精馏气入口和超高纯四氯化钛出口，精馏气入口与精馏气入口连通。采用上述系统制备超高纯四氯化钛不仅工艺简单，还能够降低工艺成本，同时提高产品的品质。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及超高纯四氯化钛的制备领域，具体而言，涉及一种超高纯四氯化钛的制备系统。

技术介绍

1、超高纯的四氯化钛可应用于半导体集成储存器的生产与制造，用作氮化钛、二氧化钛和钛金属化学气相薄膜沉积(cvd)的液相钛源材料。作为半导体存储器制造中电容器的电极材料。

2、应用于半导体的超高纯四氯化钛的纯度要求比较严格，组分要求≥99.99％，各项杂质需小于1个ppb。杂质尤其是金属离子杂质(sb、as、cu、al、pb、fe、v、sn、ni等)会降低沉积在半导体器件薄膜层绝缘性能，导致电路板因短路而报废，而杂质中的有机物和颗粒会影响沉积膜层的均匀和平整性。一般工业级四氯化钛的组分为98％～99％，包含较多离子杂质(si、sb、as、cu、al、pb、fe、v、sn、ni等)、ccl4、ccl3cocl、cocl2、cs2等有机物和颗粒，因此开发超高纯四氯化钛的制备工艺对半导体用电子特气的国产化具有积极的意义。

3、目前，国内外企业主要采用的制备工艺为吸附法-过滤、亚沸蒸馏-精馏-过滤相结合等。现有专利申请(jp2007223877a)公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述超高纯四氯化钛的制备系统包括：

2.根据权利要求1所述的超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述填料塔中的填料的粒径为5～6mm。

3.根据权利要求1所述的超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述精密过滤单元（30）包括串联设置的第一精密过滤装置（31）和第二精密过滤装置（32），所述第一精密过滤装置（31）和所述第二精密过滤装置（32）的过滤精度分别独立地选自0.03～0.1μm。

4.根据权利要求1所述的超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述前置过滤装置（40）的过滤精度为0.05～0.2μ...

【技术特征摘要】

1.一种超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述超高纯四氯化钛的制备系统包括：

2.根据权利要求1所述的超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述填料塔中的填料的粒径为5～6mm。

3.根据权利要求1所述的超高纯四氯化钛的制备系统，其特征在于，所述精密过滤单元（30）包括串...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴毅，郭树虎，万烨，赵雄，赵宇，郭克涛，袁振军，常欣，鲁永洁，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，
类型：新型
国别省市：