封装体制造技术

一种封装体，包括：单个一体式导电本体；具有集成晶体管的第一芯片，其包括第二端子、第三端子和附接在本体上的第一端子，第二端子和第三端子形成在第一芯片的一个主表面上，第一端子形成在第一芯片的相反的另一个主表面上，第一端子是漏极或集电极端子，第二端子是源极或发射极端子，第三端子是栅极或基极端子；以及具有集成晶体管的第二芯片，其包括第五端子、第六端子和附接在本体上的第四端子，第四端子和第六端子形成在第二芯片的一个主表面上，第五端子形成在第二芯片的相反的另一个主表面上，第四端子是源极或发射极端子，第五端子是漏极或集电极端子，第六端子是栅极或基极端子，其中，第一芯片和第二芯片连接以形成半桥。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装体和一种制造封装体的方法。

技术介绍

1、例如用于汽车应用的封装体为包括一个或多个集成电路元件的一个或多个电子芯片提供物理保护。封装体的集成电路元件的示例是金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet：metal oxide semiconductor field effect transistor)、绝缘栅双极晶体管(igbt：insulated-gate bipolar transistor)和二极管。

2、封装体的电性能和热可靠性仍然存在潜在的改进空间。

技术实现思路

1、可能需要一种具有高电性能和热可靠性的封装体。

2、根据一个示例性实施例，提供了一种封装体，所述封装体包括：单个一体式导电本体；具有集成晶体管的第一芯片，其包括第二端子、第三端子和附接在所述本体上的第一端子，其中，所述第二端子和所述第三端子形成在所述第一芯片的一个主表面上，所述第一端子形成在所述第一芯片的相反的另一个主表面上，其中，所述第一端子是漏极或集电极端子，所述第二端子是源极或发射极端子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装体(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的封装体(100)，其中，所述第一芯片(104)是低侧芯片，所述第二芯片(112)是高侧芯片。

3.根据权利要求1或2所述的封装体(100)，其中，所述本体(102)的背离所述第一芯片(104)和所述第二芯片(112)的表面部分形成暴露的外部封装体表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括通过第三端子连接元件(122)与所述第三端子(110)连接的第三端子引线结构(120)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装体(100)，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种封装体(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的封装体(100)，其中，所述第一芯片(104)是低侧芯片，所述第二芯片(112)是高侧芯片。

3.根据权利要求1或2所述的封装体(100)，其中，所述本体(102)的背离所述第一芯片(104)和所述第二芯片(112)的表面部分形成暴露的外部封装体表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括通过第三端子连接元件(122)与所述第三端子(110)连接的第三端子引线结构(120)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括通过第六端子连接元件(126)与所述第六端子(118)连接的第六端子引线结构(124)。

6.根据权利要求4和5所述的封装体(100)，其中，所述第三端子连接元件(122)和所述第六端子连接元件(126)中的一个的至少一部分在所述本体(102)的一个主表面上方延伸，所述第三端子连接元件(122)和所述第六端子连接元件(126)中的另一个的至少一部分在本体(102)的所述主表面下方延伸，特别地，所述第三端子连接元件(122)和所述第六端子连接元件(126)中的至少一个包括连接导线，所述连接导线具有不超过所述单个一体式导电本体(102)的厚度的环路高度，特别地，所述第三端子引线结构(120)和所述第六端子引线结构(124)被布置成面向所述本体(102)的两个相反边缘。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括通过导电第五端子连接元件(130)与所述第五端子(116)连接的第五端子引线结构(128)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括通过导电第二端子连接元件(134)与所述第二端子(106)连接的第二端子引线结构(132)。

9.根据权利要求7或8所述的封装体(100)，其中，所述导电第五端子连接元件(130)和所述导电第二端子连接元件(134)中的至少一个包括夹。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括与所述第一端子(108)和所述第四端子(114)连接的公共端子引线结构(136)，例如，所述公共端子引线结构(128)与所述本体(102)一体地形成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括至少部分地包封所述本体(102)、所述第一芯片(104)和所述第二芯片(112)的包封材料(138)。

12.根据权利要求11所述的封装体(100)，其中，所述包封材料(138)包括被布置用于增加所述本体(102)与引线结构(120、128、132)之间的爬电距离的外部爬电距离增加凹槽(140)，所述引线结构(120、128、132)例如是相对于所述本体(102)间隔开的与所述第五端子(116)连接的第五端子引线结构(128)和与所述第二端子(106)连接的第二端子引线结构(...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·贝姆，B·R·施默尔泽，L·M·霍尔茨曼，T·沙夫，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：