本公开涉及相变型存储器装置和读取该装置的方法。待读取的相变存储器单元与置于置位状态的相变参考存储器单元相关联。参考存储器单元具有与存储器单元的结构相同的结构。第一电压被施加到存储器单元以造成第一电流的输出。第二电压被施加到参考存储器单元以造成第二电流的输出。感测放大器耦合到存储器单元以及参考存储器单元，并被配置为将第一电流和第二电流的各自值进行比较，并产生表示由存储器单元存储的数据的逻辑值的输出信息。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性存储器，更具体地，涉及相变存储器(pcm)以及这种存储器的读取。
技术介绍
1、相变存储器是依赖于相变材料特性的非易失性存储器。
2、更具体地，相变材料能够在加热下从低电阻状态切换到高电阻状态。
3、相变存储器利用相变材料的不同状态的电阻不同这一事实来存储数据。
4、更具体地，相变材料在由在电极之间施加电流所产生的焦耳效应以及热效应下能够从高电阻状态(hrs)切换到低电阻状态(lrs)。
5、从高电阻状态切换到低电阻状态对应于被称为“置位(set)”的编程或激活操作，即写入二进制数据值(例如逻辑值1)的操作。因此，存储器处于所谓的“置位”状态。
6、从低电阻状态切换到高电阻状态对应于被称为“复位(reset)”的擦除或去激活操作，即写入相反的二进制数据值(例如逻辑值0)的操作。因此，存储器处于所谓的“复位”状态。
7、为了执行编程或置位操作，将相变材料加热到其结晶温度和熔融温度之间，然后缓慢冷却以获得结晶相。因此，电流脉冲缓慢衰减。
>8、然而，为了使相本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种相变型存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中第二电流的值等于电流的所述第一对应值与电流的所述第二对应值之间的差的一半。
3.根据权利要求1所述的装置，其中相变参考存储器单元放置在相变存储器单元旁边。
4.根据权利要求3所述的装置，其中相变存储器单元与相变参考存储器单元之间的距离在10微米与20微米之间。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括刷新电路，该刷新电路被配置为定期地使相变参考存储器单元返回到所述置位状态。
6.根据权利要求5所述的装置，其中刷新电路包括：
7.根据权利要求1所述的装...
【技术特征摘要】
1.一种相变型存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中第二电流的值等于电流的所述第一对应值与电流的所述第二对应值之间的差的一半。
3.根据权利要求1所述的装置，其中相变参考存储器单元放置在相变存储器单元旁边。
4.根据权利要求3所述的装置，其中相变存储器单元与相变参考存储器单元之间的距离在10微米与20微米之间。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括刷新电路，该刷新电路被配置为定期地使相变参考存储器单元返回到所述置位状态。
6.根据权利要求5所述的装置，其中刷新电路包括：
7.根据权利要求1所述的装置，其中多个相变存储器单元经由可控开关分别耦合到感测放大器的第一输入，并且进一步包括控制电路，该控制电路被配置为依次选择所述可控开关，以使得读取电路能够依次读取每个相变存储器单元。
8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括至少一个n个相变存储器单元的组，其中n是偶数，该组被划分为两个n/2个相变存储器单元的子组，并且每组一个的相变参考存储器单元由相变存储器单元的两个子组界邻。
9.一种用于读取相变型存储器装置的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：X·莱科克，A·雷扎芬德莱比，C·福瑞尔，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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