背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统技术方案

本发明专利技术适用于背接触太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括硅衬底、第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层间隔设置，且第一掺杂层和第二掺杂层的极性不同，设置在第一掺杂层和第二掺杂层远离硅衬底的一侧面的钝化层，穿过钝化层与第一掺杂层接触的正电极以及穿过钝化层与第二掺杂层接触的负电极，正电极与第一掺杂层接触的面积大于负电极与第二掺杂层接触的面积。通过将正电极与第一掺杂层接触的面积设计成比负电极与第二掺杂层接触的面积大，从而使正电极与第一掺杂层之间达到负电极与第二掺杂层之间相同的欧姆接触效果，降低载流子的再结合率，保证太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触太阳能电池制备，尤其涉及一种背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统。

技术介绍

1、背接触太阳能电池由于其正面没有主栅线，正极和负极均设置在电池的背面，减少了遮光，有效增加了电池的短路电路，使得太阳能电池的能量转换效率提升，进而应用前景广泛。

2、目前，背接触太阳能电池的生产制备过程中，会在背接触太阳能电池的背面的p区和n区印刷银浆制备金属电极。但是，由于p区和n区掺杂的元素不同，导致p区相比n区更厚，而且由于p区掺杂硼元素存在耐腐蚀的特性，导致银浆在p区无法形成与n区一样良好的欧姆接触，提高载流子的再结合率，降低太阳能电池的光电转换效率。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种背接触太阳能电池，旨在解决现有的背接触太阳能电池的正电极和负电极的欧姆接触不一致导致太阳能电池的光电转换效率低的问题。

2、本专利技术实施例是这样实现的，一种背接触太阳能电池，包括：

3、硅衬底；

4、设置在硅衬底的背面的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述正电极部分嵌入所述第一掺杂层内，所述负电极部分嵌入所述第二掺杂层内，所述正电极嵌入所述第一掺杂层内的深度大于所述负电极嵌入所述第二掺杂层内的深度。

3.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述正电极具有第一正极金属晶体，所述第一正极金属晶体嵌入所述第一掺杂层内。

4.如权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述负电极具有第一负极金属晶体，所述第一负极金属晶体嵌入所述第二掺杂层内。

5.如权利要求4所述的背接触太阳能电池，...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述正电极部分嵌入所述第一掺杂层内，所述负电极部分嵌入所述第二掺杂层内，所述正电极嵌入所述第一掺杂层内的深度大于所述负电极嵌入所述第二掺杂层内的深度。

3.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述正电极具有第一正极金属晶体，所述第一正极金属晶体嵌入所述第一掺杂层内。

4.如权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述负电极具有第一负极金属晶体，所述第一负极金属晶体嵌入所述第二掺杂层内。

5.如权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一正极金属晶体的宽度由靠近所述正电极向远离所述正电极方向逐渐变小，所述第一负极金属晶体的宽度由靠近所述负电极向...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋飞，杨浩成，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：