溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体技术

本发明专利技术涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体。具体为，溅镀靶含有Co及Pt作为金属成分，Pt的含量相对于Co的含量的摩尔比为5/100～45/100，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种含有co及pt作为金属成分且例如适宜用于在垂直磁记录媒体中间层上形成磁性层等的溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体，尤其提出一种可有助于硬磁碟驱动机的高密度化的技术。

技术介绍

1、在硬磁碟驱动机中，在相对于记录面垂直的方向进行磁记录的垂直磁记录方式被实用化，该方式与此前的面内磁记录方式相比，能够进行高密度的记录，因此被广泛采用。

2、垂直磁记录方式的磁记录媒体大致是在铝或玻璃等基板上依序积层密接层、软磁性层、晶种(seed)层、ru层等基底层、中间层、磁性层及保护层等而构成的。其中，磁性层在下部存在以co作为主成分的co－pt系合金等中分散有sio2或其他金属氧化物的颗粒(グラニュラ)膜，具有较高的饱和磁化ms与磁各向异性ku。又，积层在磁性层下方侧的中间层是由co－cr－ru系合金等中分散有相同的金属氧化物的组织结构所构成，有为了成为非磁性而含有相对较多的ru或cr等的情形。

3、在此种磁性层及中间层中，成为非磁性材料的上述金属氧化物向沿垂直方向配向的co合金等磁性粒子的晶界析出，降低磁性粒子间的磁相互本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种溅镀靶，其含有Co及Pt作为金属成分，Pt的含量相对于Co的含量的摩尔比为5/100～45/100，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分，Nb2O5的含量为0.5mol％～5mol％，

2.根据权利要求1所述的溅镀靶，其进一步含有TiO2作为金属氧化物成分。

3.根据权利要求2所述的溅镀靶，其中，TiO2的含量为0.5mol％～15mol％。

4.根据权利要求2所述的溅镀靶，其具有包含Ti、Nb及O的全部的相。

5.根据权利要求1或2所述的溅镀靶，其进一步含有SiO2及B2O3中的至少一种金属氧化物作为金属氧化物成分，包含Nb2O5的...

【技术特征摘要】

1.一种溅镀靶，其含有co及pt作为金属成分，pt的含量相对于co的含量的摩尔比为5/100～45/100，且含有nb2o5作为金属氧化物成分，nb2o5的含量为0.5mol％～5mol％，

2.根据权利要求1所述的溅镀靶，其进一步含有tio2作为金属氧化物成分。

3.根据权利要求2所述的溅镀靶，其中，tio2的含量为0.5mol％～15mol％。

4.根据权利要求2所述的溅镀靶，其具有包含ti、nb及o的全部的相。

5.根据权利要求1或2所述的溅镀靶，其进一步含有sio2及b2o3中的至少一种金属氧化物作为金属氧化物成分，包含nb2o5的金属氧化物的合计含量为20vol％～40vol％。

6.根据权利要求1或2所述的溅镀靶，其中，pt的含量相对于co的含量的...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水正义，岩渊靖幸，增田爱美，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：