【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及带隙基准电路，特别涉及一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路。
技术介绍
1、在电子电路设计中，带隙基准电路是基础且关键的组件之一，它用于提供稳定的参考电压，广泛应用于放大器、adcs(模数转换器)、dacs(数模转换器)等电子设备中。带隙基准电压源的主要功能是生成一个稳定且对温度变化不敏感的电压，以确保整个系统在不同工作条件下的精度和可靠性。然而，由于半导体器件本身的特性会随温度变化，因此设计一个高性能的带隙基准电路需要考虑温度补偿机制。
2、目前传统的带隙基准电路通常采用一或多个三极管形成的带隙结构来产生基准电压，并利用电阻等元件进行温度补偿。尽管这种方法在许多应用中表现良好，但在极端温度条件或需要更高精度的应用场合，其性能可能受到限制。此外，启动电路的设计也是保证带隙基准电路正确启动和运行的关键因素之一。
3、在中国专利cn115016591b中公开了一种低温漂的带隙基准电路，包括：一阶带隙基准电路，所述一阶带隙基准电路输出与绝对温度成正比的电流iptat1、iptat2、iptat3、偏置于...
【技术保护点】
1.一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的偏置电路采用自偏置共源共栅结构的方式配置。
3.根据权利要求2所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的偏置电路包括：MOS管M4、MOS管M5、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、三极管Q4、三极管Q5以及三极管Q6，所述的MOS管M4、MOS管M5以及MOS管M6中的源极均连接VCC输入端，MOS管M4栅极与MOS管M5...
【技术特征摘要】
1.一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的偏置电路采用自偏置共源共栅结构的方式配置。
3.根据权利要求2所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的偏置电路包括：mos管m4、mos管m5、mos管m7、mos管m8、mos管m10、mos管m11、mos管m12、mos管m13、三极管q4、三极管q5以及三极管q6，所述的mos管m4、mos管m5以及mos管m6中的源极均连接vcc输入端，mos管m4栅极与mos管m5栅极连接，mos管m4漏极连接mos管m7源极，所述的mos管m5漏极连接mos管m8源极，mos管m5栅极还与自身漏极相连接，形成了一个正反馈回路，所述的mos管m6栅极连接三极管q2集电极，mos管m6源极同样连接vcc输入端，mos管m6漏极通过电阻r4连接mos管m9源极，所述的mos管m7栅极连接mos管m8栅极，mos管m7漏极连接mos管m10漏极，所述的mos管m8源极还与三极管q2集电极相连接，mos管m8漏极连接mos管m11漏极，所述的mos管m9栅极连接三极管q2发射极，mos管m9漏极通过电阻r3连接三极管q6集电极，所述的mos管m10栅极连接mos管m11栅极，并还与自身的漏极相连接，形成一反馈回路，mos管m10源极连接mos管m12漏极，mos管m11源极连接mos管m13漏极，所述的mos管m12栅极连接mos管m13栅极，mos管m12源极连接三极管q4集电极，所述的mos管m13源极连接三极管q5集电极，所述的三极管q4、三极管q5以及三极管q6的基极均与自身的基极连接，形成负反馈回路，且上述三极管q4、三极管q5以及三极管q6的发射极均接地。
4.根据权利要求3所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的mos管m9源极与三极管q6集电极之间并联有二极管d1，用于提供反向电压保护并稳定电压源，避免因电压反接而损坏电路元件。
5.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的带隙核心电路包括：二次启动电路以及带隙基准源，所述的二次启动电路用于在启动阶段提供稳定的电流给带隙核心电路，所述的带隙基准源用于生成一个稳定且精确的参考电压。
6.根据权利要求5所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，所述的二次启动电路包括：三极管q7、三极管q8、...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭虎，李建伟，刘克帅，李小兵，
申请(专利权)人：北京炎黄国芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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