丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及UV保护膜制造技术

本发明专利技术公开了一种丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及UV保护膜。在氮气气氛下将一定量第一单体、第二单体、第三单体混合、热引发剂和第一溶剂共聚得到丙烯酸酯胶粘剂。将固化剂、光引发剂、UV树脂、第二溶剂以及上述的丙烯酸酯胶粘剂混合，形成胶粘剂组合物。在基材涂覆上述的胶粘剂组合物，胶粘剂组合物上覆盖有离型膜，得到UV保护膜。本发明专利技术的UV保护膜，可以广泛应用于半导体封装切割后段工艺的制程保护，切割前保护芯片不受破坏，贴合无气泡，粘合力强，UV后进行切割时，无碎屑、不残胶、不影响芯片性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于胶粘剂，具体涉及丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及uv保护膜。

技术介绍

1、在半导体晶圆切割的后段工序中，需要将封装好的晶圆进行切割。为了保护芯片不受损坏，通常切割前在基板上贴一层uv保护膜。该uv保护膜切割前通常会有较高的粘力，防止基板和uv保护膜的脱落。紫外线照射后uv保护膜的粘力能够迅速下降，可以方便芯片的拾取。

2、目前国内半导体晶圆切割用的pkg uv保护膜基本由日韩厂商提供，国内厂商生产的uv保护膜大部分存在psa和低表面能基材附着差的问题。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及uv保护膜，可以解决psa和低表面能基材附着差的问题。

2、本专利技术采用的技术方案是：丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，按重量百分比算，将65-75％的第一单体、15-25％的第二单体、0-5％的第三单体混合，再加入一定量的热引发剂和第一溶剂，在氮气气氛下共聚得到丙烯酸酯胶粘剂，第一单体包括丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯中的一种或者多种，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，按重量百分比算，将65-75％的第一单体、15-25％的第二单体、0-5％的第三单体混合，再加入一定量的热引发剂和第一溶剂，在氮气气氛下共聚得到丙烯酸酯胶粘剂，第一单体包括丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯中的一种或者多种，所述第二单体包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯中的一种或者多种，所述第三单体包括丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸羟丙酯、N-乙烯基吡咯烷酮中的一种或者多种，所述热引发剂为偶氮类或者过氧化物，所述第一溶剂为乙酸乙酯、甲苯、丁酮的一种或多种。

2.如权利要求1所述的丙烯酸酯胶粘剂的制...

【技术特征摘要】

1.丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，按重量百分比算，将65-75％的第一单体、15-25％的第二单体、0-5％的第三单体混合，再加入一定量的热引发剂和第一溶剂，在氮气气氛下共聚得到丙烯酸酯胶粘剂，第一单体包括丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯中的一种或者多种，所述第二单体包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯中的一种或者多种，所述第三单体包括丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸羟丙酯、n-乙烯基吡咯烷酮中的一种或者多种，所述热引发剂为偶氮类或者过氧化物，所述第一溶剂为乙酸乙酯、甲苯、丁酮的一种或多种。

2.如权利要求1所述的丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，所述热引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异戊腈、偶氮二异庚腈、过氧化二苯甲酰、过氧化脂质中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，称取不同比例的第一单体、第二单体、第三单体、热引发剂、第一溶剂放入容器中，水浴加热并搅拌，然后往容器中通氮气30min，在氮气保护下，开始水浴升温，进行反应，反应约1-4h结束，即得所述丙烯酸酯胶粘剂。

4.丙烯酸酯胶粘剂，其特征在于，由权利要求1-3中任意一项所述的制备方法制得。

5.胶粘剂组合物，其特征在于，将固化剂、光引发剂、uv树脂、第二溶剂以及如权利要求4中所述的丙烯酸酯胶粘剂混合，形成胶粘剂组...

【专利技术属性】
技术研发人员：李五洲，郭文磊，花国栋，明尚峰，
申请(专利权)人：浙江东柔新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：