图像像素和事件视觉传感器(EVS)像素的混合像素结构中的合并制造技术

技术编号:43390490 阅读:22 留言:0更新日期:2024-11-19 18:04
图像像素和事件视觉传感器(EVS)像素的混合像素结构中的合并。在一个实施方式中,图像传感器包括像素阵列,该像素阵列包括多个像素电路和多个合并晶体管。多个像素电路的第一部分单独地包括强度光电二极管。多个像素电路的第二部分单独地包括事件视觉传感器(EVS)光电二极管。所述多个合并晶体管被配置为将所述第一部分和所述第二部分中的至少一者合并在一起。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请总体上涉及图像传感器。更具体来说,本申请涉及图像像素和事件视觉传感器(evs)像素的混合结构中的可编程浮动扩散合并。


技术介绍

1、图像感测装置通常包括图像传感器,图像传感器通常实施为像素电路阵列,以及信号处理电路和任何相关联的控制或定时电路。在图像传感器本身内,作为照射光的结果,在像素电路的光电转换装置中收集电荷。通常存在非常大量的单独的光电转换装置(例如,数千万),以及并行工作的许多信号处理电路组件。大量的光电转换装置共享信号处理电路内的各种组件;例如,一列或多列光电转换装置可以共享单个模数转换器(adc)或采样和保持(s/h)电路。

2、在摄影应用中,像素电路的输出用于产生图像。除了摄影之外,图像传感器被用于各种应用中,这些应用可将所收集的电荷用于附加的或替代的目的。例如,在诸如游戏机、自动车辆、遥测系统、工厂检查、姿势控制的计算机输入装置等的应用中,可能期望检测三维空间中各物体的深度和/或检测反射离开同一三维空间中各物体的光量。

3、此外,一些图像传感器支持像素合并(binning)操作。在合并中,来自相邻像素电路的输本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器,包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个SNG晶体管,所述多个SNG晶体管基于所述像素阵列逐行地将所述第二部分的感测节点水平地合并在一起。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个VNG晶体管,所述多个VNG晶体管基于所述像素阵列逐列地将所述第二部分的感测节点垂直地合并在一起。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个ALSEN晶体管,所述多个ALSEN晶体管基于所述像素阵列逐行地将所述第一部分的浮动扩散水平地合并在一起。

5.根...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种图像传感器,包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个sng晶体管,所述多个sng晶体管基于所述像素阵列逐行地将所述第二部分的感测节点水平地合并在一起。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个vng晶体管,所述多个vng晶体管基于所述像素阵列逐列地将所述第二部分的感测节点垂直地合并在一起。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个alsen晶体管,所述多个alsen晶体管基于所述像素阵列逐行地将所述第一部分的浮动扩散水平地合并在一起。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个合并晶体管包括多个fdi晶体管,所述多个fdi晶体管基于所述像素阵列逐列地将所述第一部分的浮动扩散垂直地合并在一起。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素电路形成混合单元像素,其中,与所述混合单元像素相关的所述第一部分是十二个强度光电二极管,其中,与所述混合单元像素相关的所述第二部分是四个evs光电二极管,并且其中,所述十二个强度光电二极管中的每个强度光电二极管具有与四个浮动扩散中的一个浮动扩散共享的栅极。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素电路形成混合单元像素,其中,与所述混合单元像素相关的所述第一部分是十四个强度光电二极管,其中,与所述混合单元像素相关的所述第二部分是四个evs光电二极管,并且其中,所述十四个强度光电二极管中的每个强度光电二极管具有与四个浮动扩散中的一个浮动扩散共享的栅极。

8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述十四个强度光电二极管包括具有蓝色滤光器的四个强度光电二极管、具有绿色滤光器的六个强度光电二极管以及具有红色滤光器的四个强度光电二极管。

9.一种方法,包括:

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一模式是非合并模式,并且其中,在所述非合并模式中,所述多个合并晶体管处于断开状态。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第二模式是第一合并模式,并且所述多个合并晶体管包括多个sng晶体管,并且其中,在所述第一合并模式中,所述控制电路系统控制所述多个sng晶体管以基于所述像素阵列逐行地将所述第二部分的感测节点水平地合并在一起。...

【专利技术属性】
技术研发人员:普利亚·莫斯塔法鲁弗雷德里克·T·布拉迪黄圣仁米弘毅
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:

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