一种应用于数字核心的低功耗自偏置LDO制造技术

一种应用于数字核心的低功耗自偏置LDO，属于集成电路领域，本发明专利技术为解决传统LDO功耗大，且无法在高温范围内降低输出电压的问题。本发明专利技术包括偏置电路和反馈回路；偏置电路用于产生偏置电流I与两个偏置电压V<subgt;PB1</subgt;和V<subgt;B</subgt;；反馈回路通过电流镜的方式镜像偏置电流I以获得与电源电压无关的输出电压DVDD。偏置电路的M1、M2、M3的栅压相同；反馈回路的M3分别与M4和M5构成电流镜，M6和M7构成电流镜，M12和M13构成电流镜；M2和M3的尺寸相同，M1的宽长比是M3的K<subgt;1</subgt;倍，M14的宽长比是M15的K<subgt;2</subgt;倍；M4和M3的尺寸相同，M5的宽长比是M3的K<subgt;1</subgt;倍，M9和M10的宽长比是M14的K<subgt;1</subgt;倍，M6和M7的尺寸相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于数字核心的低功耗自偏置ldo，属于集成电路领域。

技术介绍

1、随着现代电子技术的飞速发展，数字核心作为电子设备中的核心处理单元，其性能与功耗之间的平衡成为了设计者关注的焦点。特别是在便携式设备、物联网(iot)设备、以及可穿戴设备等应用场景中，对低功耗的需求日益增加。

2、低压差线性稳压器(ldo，是low dropout regulator的缩写)作为一种常见的电源管理器件，因其具有体积小、成本低、稳定性好、噪声低等优点，在数字核心供电系统中得到了广泛应用。然而，传统的ldo在功耗方面仍存在一定的局限性，特别是在轻载或待机状态下，其静态电流较大，导致整体功耗较高，不利于延长电池寿命。

3、图1给出了常见的ldo的拓扑结构，其主要由四部分组成：基准电压电路、运算放大器a1、导通器件和电阻反馈网络，基准电压电路产生基准电压源vref。此外，为了保证芯片的安全，线性稳压器还必须具有基本的保护电路，如过温保护和限流保护等功能。

4、运算放大器a1的反相输入端接基准电压源vref，即运算放大器a1的反相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于数字核心的低功耗自偏置LDO，其特征在于，包括偏置电路和反馈回路；偏置电路用于产生偏置电流I与两个偏置电压VPB1和VB；反馈回路通过电流镜的方式镜像偏置电流I以获得与电源电压无关的输出电压DVDD。

2.根据权利要求1所述一种应用于数字核心的低功耗自偏置LDO，其特征在于，偏置电路包括PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3、NMOS晶体管M14、NMOS晶体管M15和电阻R1；

3.根据权利要求2所述一种应用于数字核心的低功耗自偏置LDO，其特征在于，PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3的栅压相同；

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【技术特征摘要】

1.一种应用于数字核心的低功耗自偏置ldo，其特征在于，包括偏置电路和反馈回路；偏置电路用于产生偏置电流i与两个偏置电压vpb1和vb；反馈回路通过电流镜的方式镜像偏置电流i以获得与电源电压无关的输出电压dvdd。

2.根据权利要求1所述一种应用于数字核心的低功耗自偏置ldo，其特征在于，偏置电路包括pmos晶体管m1、pmos晶体管m2、pmos晶体管m3、nmos晶体管m14、nmos晶体管m15和电阻r1；

3.根据权利要求2所述一种应用于数字核心的低功耗自偏置ldo，其特征在于，pmos晶体管m1、pmos晶体管m2、pmos晶体管m3的栅压相同；

4.根据权利要求3所述一种应用于数字核心的低功耗自偏置ldo，其特征在于，反馈回路包括pmos晶体管m4、pmos晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：周燕飞，李景虎，陈德焱，何丽丽，
申请(专利权)人：厦门亿芯源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：