一种新型的带隙基准电压源电路制造技术

本申请提出了一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，包括电流源电路

【技术实现步骤摘要】
一种新型的带隙基准电压源电路


[0001]本申请涉及集成电路中的带隙基准电压源

。
更具体地，涉及一种新型的带隙基准电压源电路
。

技术介绍

[0002]带隙基准是大多模拟和混合信号电子器件，如稳压器振荡器
、ADC、
数据转换器
、
电源管理控制器等的关键组成部分，因为集成电路
(IC)
都依赖于一个与温度无关且高电源抑制比的电压基准源以确保性能指标，如摆幅
、
噪声
、
带宽等能耐受温度变化
。
这些应用大多要求高精度，因此基准电压源设计的规格要求很高
。
大多数带隙基于
BJT
器件指数特性设计的，主要原理是产生一个与绝对温度成正比例
(PTAT)
的电压，一个与绝对温度成负比例
(CTAT)
的电压，对它们进行缩放和求和，以获得一个与温度无关的参考电压
。
[0003]普通一阶温度补偿结构温度系数最低只能达到r/>14ppm/℃本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，包括电流源电路
、
电压自偏置结构电路
、
运算放大器电路
、BGR
核心电路和曲率补偿电路；所述电流源电路与所述电压自偏置结构电路连接，所述
BGR
核心电路两侧分别于所述运算放大器电路和所述曲率补偿电路连接；以及，所述电压自偏置结构电路与所述
BGR
核心电路相连，所述电压自偏置结构电路配置用于为所述
BGR
核心电路提供一个与电源无关的电压
V
SR
；所述曲率补偿电路配置用于生成校正电流，并将校正电流注入所述
BGR
核心电路
。2.
根据权利要求1所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电流源电路设置有电流源电路
MOS
管，通过所述电流源电路
MOS
管产生偏置电流，并通过所述
MOS
将所述偏置电流镜像传输至所述电压自偏置结构电路及所述运算放大器电路
。3.
根据权利要求2所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电压自偏执结构电路内设置有电压自偏执结构电路
MOS
管，所述电压自偏执结构电路
MOS
管配置用于起电流镜作用，为所述
BGR
核心电路提供电流，并将所述
BGR
核心电路与所述电流源电路隔绝
。4.
根据权利要求1所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电流源电路包括：
MOS
管
MP1、MOS
管
MP2、MOS
管
MP3、MOS
管
MP4、MOS
管
MN1、MOS
管
MN2、
三极管
Q1、
三极管
Q2、
三极管
Q3、
三极管
Q4
和电阻
R1
；所述
MOS
管
MP1
的栅极同时连接所述
MOS
管
MP1
的漏极
、
所述
MOS
管
MP2
的栅极
、
所述
MOS
管
MP3
的栅极和所述三极管
Q1
的集电极；所述三极管
Q1
的基极同时连接所述三极管
Q2
的基极
、
集电极以及所述
MOS
管
MP2
的漏极；所述三极管
Q3
的集电极同时连接所述三极管
Q4
的基极和所述三极管
Q1
的发射极，同时所述三极管
Q3
的基极同时连接所述三极管
Q4
的集电极
、
所述三极管
Q2
的发射极；所述电阻
R1
的一端连接所述三极管
Q3
的发射极；所述
MOS
管
MP3
的漏极同时连接所述
MOS
管
MN1
的漏极
、
栅极以及所述
MOS
管
MN2
的栅极；所述
MOS
管
MP4
的栅极同时连接所述
MOS
管
MP4
的漏极和所述电压自偏置结构电路
。5.
根据权利要求4所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电压自偏置结构电路包括：
MOS
管
MP5、MOS
管
MP8、MOS
管
MP9、MOS
管
MN3、
三极管
Q5、
电容
C1、
输出端口
VBG
和电阻
R2
；所述三极管
Q5
的基极同时连接所述
MOS
管
MP8
的栅极
、
漏极以及所述
MOS
管
MN3
的漏极，同时所述三极管
Q5
的发射极同时与所述电阻
R2
的一端
、
所述电容
C1、
所述输出端口
VBG
和所述运算放大器电路相连；所述
MOS
管的栅极同时与所述
MOS
管
MP4
的栅极和所述运算放大器电路相连；所述
MOS
管
MP5
的漏极同时与所述
MOS
管
MP8
的源极
、
所述
MOS
管
MP9
的源极
、
所述运算放大器电路
、
所述
BGR
核心电路和所述曲率补偿电路相连；所述
MOS
管
MP9
的栅极与所述运算放大器电路相连；所述
MOS
管
MN3
的栅极与所述运算放大器电路相连
。6.
根据权利要求5所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述运算放大器电路包括：
MOS
管
MP6、MOS
管
MP7、MOS
管
MP14、MOS
管
MP15、MOS
管
MN4
；所述
MOS
管
MP6
的栅极同时与所述
MOS
管
MP5
的栅极
、
所述
MOS
管
MP7
的栅极相连；所述
MOS
管
MP6
的漏极同时与所述
MOS
管
MP9
的栅极
、MOS
管
MP14
的源极相连；所述
MOS
管
MP7
的漏极同时与所述
BGR
核心电路
、
所述
MOS
管
MP15
的源极相连；所述
MOS
管
MN4
的栅极同时与所述
MOS
管
MP14
的漏极
、
所述
MOS
管
MN4
的漏极和所述
MOS
管
MN3
的栅极相连
。7.
根据权利要求6所述的一种新型的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述
BGR
核心电路包括：
MOS
管
MP10、MOS
管
MP11、
三极管
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李景虎，吴思妮，涂航辉，吴阳吉，
申请(专利权)人：厦门亿芯源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：