【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及判断晶圆的导电类型的方法及系统。
技术介绍
1、半导体晶圆，特别是适用于形成半导体器件的单晶硅晶圆，通常由采用直拉法或者施加磁场的直拉法制造的单晶硅棒来制造。以由采用直拉法制造得到的单晶硅棒来说，通常会在其中掺入少量的掺杂剂以获得高电阻率。但是由于单晶硅棒中掺杂剂的掺杂量很低，因此导致经由单晶硅棒制造得到的晶圆内部的多数载流子和少数载流子的浓度都非常低，进而影响晶圆的导电类型的判断。并且，以由采用直拉法制造得到的单晶硅棒来说，单晶硅棒经籽晶引出并在后续的冷却过程中会发生热施主效应，该热施主效应会对单晶硅棒中的载流子的浓度产生影响，进而影响晶圆的导电类型的判断。因此晶圆的导电类型需要经过测试才能准确地确定。
2、目前，相关技术中晶圆的导电类型的测试方法包括冷热探针法和表面光电压法。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将具有不同温度的两个金属探针分别压在晶圆表面的两个接触点上，进而根据两个接触点处的温差所引起的温差电流或温差电压的方向来确定晶圆的导电类型。然而，冷热探针法并不适用于测试电阻率高于...
【技术保护点】
1.一种判断晶圆的导电类型的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆的第二电阻率大于1000ohm·cm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆中的氧含量小于6ppma。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述多个位置，包括：所述待测晶圆的中心位置、半径的一半位置以及边缘位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺，包括：对所述待测晶圆在650℃至1100℃温度范围内保温30s至60min后，将所述待测晶圆冷却至室
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【技术特征摘要】
1.一种判断晶圆的导电类型的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆的第二电阻率大于1000ohm·cm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆中的氧含量小于6ppma。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述多个位置，包括：所述待测晶圆的中心位置、半径的一半位置以及边缘位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺，包括：对所述待测晶圆在650℃至1100℃温度范围内保温30s至60min后，将所述待测晶圆冷却至室温。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺，包括：对所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员：车宇航，贺鹏，兰洵，王文娟，杨博康，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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