扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法技术

本发明专利技术公开了一种扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，包括步骤：S1，初始状态判读；S2，设置高低温实验箱的温度为最低标准温度；设置智能压力控制器的压强为最小标准压强；S3，采集温度数据；S4，采集压强数据；S5，采集不同压强下的压力传感器数据；S6，使高低温实验箱的温度提高j℃，设置智能压力控制器的压强为最小标准压强，重复步骤S3‑S5，直至高低温实验箱的温度达到最高标准温度时的全部数据采集完毕；S7，构建温度校准模型；S8，构建压强校准和温飘改正模型。该方法易于实现，结果精确，提高了工作效率，解决了不同恒定压力条件下不同温度的的改正模型差异化问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器校准领域，特别涉及一种扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法。

技术介绍

1、在压力传感器行业，扩散硅压力传感器由于其结构简单、工艺明确、便于批量生产、产品一致性好，已经广泛应用于制作高精密液位测量仪器、压力测量仪器等领域。

2、现有的扩散硅压力传感器主要采用微机电工艺进行加工，其输出结果受温度的影响较大，且在使用过程中需要对不同压力下的输出结果进行线性拟合建模。另外，在不同的恒定压力条件下，不同温度的改正模型均有所差异，致使压力标定过程和温度误差改正建模过程步骤繁琐、耗时较长。

3、同时，在使用扩散硅压力传感器过程中，不可避免地需要嵌入温度传感器，而未经过校准的温度传感器同样也会对温漂改正造成二次误差影响。

技术实现思路

1、针对上述扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正过程中存在的问题，本专利技术提供一种精确度高、易于实现的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法。

2、为此，本专利技术采用以下技术方案：p>

3、一种扩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于：S2中所述最低标准温度≥-40℃，最小标准压强≥1kPa。

3.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于，S4中采集压强数据的时间为1分钟。

4.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于：S5中所述最大标准压强≤100kPa。

5.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差...

【技术特征摘要】

1.一种扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于：s2中所述最低标准温度≥-40℃，最小标准压强≥1kpa。

3.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正快速建模方法，其特征在于，s4中采集压强数据的时间为1分钟。

4.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器输出检校及温度误差改正...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛骐，杜杰，王杰，洪江华，杨云洋，魏好，王磊，秦守鹏，房博乐，谷洪业，杨双旗，赵梦杰，
申请(专利权)人：中国铁路设计集团有限公司，
类型：发明
国别省市：