【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及研磨用组合物。本申请基于2022年3月30日申请的日本专利申请第2022-056781号主张优先权,将该申请的全部内容作为参照并入至本说明书中。
技术介绍
1、使用研磨用组合物对金属、半金属、非金属、其氧化物等材料的表面进行研磨。例如,对于由碳化硅、碳化硼、碳化钨、氮化硅、氮化钛、氮化镓等化合物半导体材料构成的表面而言,通过在其表面与研磨平板之间供给金刚石磨粒而进行研磨(磨削(lapping))来加工。然而,在使用金刚石磨粒的磨削中,容易因刮痕、凹痕的产生、残留等而产生缺陷、变形。因此,正在研究在使用金刚石磨粒的磨削后、或代替该磨削而进行使用研磨垫和研磨用组合物的研磨(抛光(polishing))。作为公开这样的现有技术的文献,可举出专利文献1。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:国际公开第2016/072370号
技术实现思路
1、通常,从制造效率、成本效益的角度出发,期望研磨去除速度在实用方面足够快。例如,在由如碳化硅等这
...【技术保护点】
1.一种研磨用组合物,其包含:
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物,其中,所述过渡金属盐为氧过渡金属盐、或者为包含过渡金属与氧和/或氢的多核过渡金属络合物。
3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物,其还包含磨粒。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的研磨用组合物,其pH为1.0以上且小于6.0。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的研磨用组合物,其用于维氏硬度为1500Hv以上的材料的研磨。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的研磨用组合物,其用于碳化硅的研磨。
7.一种研磨方法,其包括使用权
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种研磨用组合物,其包含:
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物,其中,所述过渡金属盐为氧过渡金属盐、或者为包含过渡金属与氧和/或氢的多核过渡金属络合物。
3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物,其还包含磨粒。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的研磨用组合物,其ph为1.0以上且小于6.0。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的研磨用组合物,其用于维氏硬度为1500hv以上的材料的研磨。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的研磨用组合物,其用于碳化硅的研磨。
7.一种研磨方法,其包括使用权利要求1~6中任一项所述的研磨用组合物对研磨对象物进行研磨的工序。
8.一种多组分型的研磨用组合物,其包含:
9.根据权利要求8所述的多组分型的研磨用组合物,其中,所述过渡金属盐为氧过渡金属盐、或者为包含过渡金属、氧和...
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