一种适用于62mm碳化硅模块的三相ANPC叠层母排结构制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于62mm碳化硅模块的三相ANPC叠层母排结构，包括叠层母排、62mm封装SiC半桥模块、PCB驱动板、薄膜吸收电容及薄膜母线解耦电容；所述62mm封装SiC半桥模块及薄膜母线解耦电容设置于叠层母排的底部，薄膜吸收电容及PCB驱动板设置于叠层母排的上部，该结构能够基于62mm封装模块的大功率三相ANPC电路的母排与驱动板布局难、寄生参数过大、功率密度低的问题，而且便于规模化生产，节约时间成本，具有重要的实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电力电子，涉及一种适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构。

技术介绍

1、随着第三代宽禁带半导体材料碳化硅(sic)的突破性进展，以及新能源发电和储能技术的飞速进步，光储变流器pcs的性能标准不断提升。特别是在大功率应用中，采用sicmosfet作为功率开关器件的有源钳位三电平拓扑(anpc)因其卓越的效率、更低的谐波含量和更优的开关器件应力而受到广泛关注。然而，现有技术中的由多个半桥模块组成的anpc母排在结构设计上存在诸多局限性，包括较大的功率回路寄生电感、驱动板与功率模块端子间过长的飞线、有限的振荡与尖峰抑制能力以及三相电路集成实现等难题。这些限制因素不仅阻碍了对寄生参数极为敏感的碳化硅功率模块在anpc拓扑中的应用，也制约了系统性能的提升和应用范围的扩展。经检索，公开号为cn115459614a的现有技术：基于sic模块并联应用的三电平单相桥臂叠层母排结构布局，公开了，所述基于sic模块并联应用的三电平单相桥臂叠层母排结构布局，包括叠层母排，以及碳化硅半桥模块，包括并联左支路功率模块和并联右支路功率模块，分别位于叠层母排的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于62mm碳化硅模块的三相ANPC叠层母排结构，其特征在于，包括叠层母排、62mm封装SiC半桥模块、PCB驱动板、薄膜吸收电容及薄膜母线解耦电容；所述62mm封装SiC半桥模块及薄膜母线解耦电容设置于叠层母排的底部，薄膜吸收电容及PCB驱动板设置于叠层母排的上部。

2.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相ANPC叠层母排结构，其特征在于，叠层母排包括自上到下依次分布的第一绝缘层、第一铜层、第二绝缘层、第二铜层、第三绝缘层、第三铜层及第四绝缘层。

3.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相ANPC叠层母排结构，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构，其特征在于，包括叠层母排、62mm封装sic半桥模块、pcb驱动板、薄膜吸收电容及薄膜母线解耦电容；所述62mm封装sic半桥模块及薄膜母线解耦电容设置于叠层母排的底部，薄膜吸收电容及pcb驱动板设置于叠层母排的上部。

2.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构，其特征在于，叠层母排包括自上到下依次分布的第一绝缘层、第一铜层、第二绝缘层、第二铜层、第三绝缘层、第三铜层及第四绝缘层。

3.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构，其特征在于，所述第一铜层、第二铜层及第三铜层的材质均为t2y2紫铜材料。

4.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构，其特征在于，第一铜层与第二铜层之间以及第二铜层与第三铜层之间嵌入t2y2空心紫铜柱。

5.根据权利要求1所述的适用于62mm碳化硅模块的三相anpc叠层母排结构，其特征在于，所述pcb驱动板上集成有驱动核、保护电路及接口电路。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴云庆，陈俊名，曹伟，赵一平，王来利，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：