【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力传感器，尤其是一种差压压力传感器芯片及其加工方法。
技术介绍
1、压力传感器是一种将压力信号转换为电信号的传感器，差压传感器是测量两个压力之间差值的传感器。其中，微机电系统压力传感器以其结构简单、响应速度快、灵敏度高等突出优点得到广泛应用。而目前的mems压力传感器芯片通常采用引线键合工艺进行封装，需要密封以及保护金线，导致器件尺寸增大和封装流程复杂。同时，用于将芯片粘结到基底的密封胶强度有限，一般只能够测量单向压力差，即p1>p2，或者测量很小的反向压力差。常用的差压压力传感器参考图5，传感器芯片需要用密封胶粘在基底上，还需要保护金线不受损坏，封装工艺复杂，芯片尺寸大。
技术实现思路
1、本专利技术解决了现有压力传感器结构强度有限且只能单向测压的问题，提出一种差压压力传感器芯片及其加工方法，将芯片的导线用焊球替代，减少了封装复杂性，提高结构强度同时实现双向压力差的测量。
2、为实现上述目的，提出以下技术方案：
3、一种差压压力传感器芯片，包...
【技术保护点】
1.一种差压压力传感器芯片，其特征是，包括设有第一气孔(9)的支撑层(6)和器件层，所述器件层包括顶层硅和覆盖在顶层硅上的氧化层(1)，所述氧化层(1)和顶层硅之间设有轻掺杂层(21)和重掺杂层(22)，所述顶层硅底部开设有孔洞，所述重掺杂层(22)通过孔洞连接到信号引线层(7)，所述信号引线层(7)和顶层硅之间设有第一隔离层(8)，所述信号引线层(7)设有焊球(10)。
2.根据权利要求1所述的一种差压压力传感器芯片，其特征是，所述氧化层(1)上设有连接重掺杂层(22)的金属引导线(14)，所述金属引导线(14)上方覆盖有第二隔离层(15)，所述第二隔离...
【技术特征摘要】
1.一种差压压力传感器芯片，其特征是，包括设有第一气孔(9)的支撑层(6)和器件层，所述器件层包括顶层硅和覆盖在顶层硅上的氧化层(1)，所述氧化层(1)和顶层硅之间设有轻掺杂层(21)和重掺杂层(22)，所述顶层硅底部开设有孔洞，所述重掺杂层(22)通过孔洞连接到信号引线层(7)，所述信号引线层(7)和顶层硅之间设有第一隔离层(8)，所述信号引线层(7)设有焊球(10)。
2.根据权利要求1所述的一种差压压力传感器芯片，其特征是，所述氧化层(1)上设有连接重掺杂层(22)的金属引导线(14)，所述金属引导线(14)上方覆盖有第二隔离层(15)，所述第二隔离层(15)与支撑层(6)键合，所述金属引导线(14)通过孔洞连接到信号引线层(7)。
3.一种差压压力传感器芯片的加工方法，加工制造权利要求1所述的一种差压压力传感器芯片，其特征是，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种差压压力传感器芯片的加工方法，其特征是，所述在soi硅片(3)的顶层硅上进行掺杂过程如下：根据掺杂浓度包括轻掺杂和重掺杂，进行轻掺杂得到轻掺杂层(21)，再进行重掺杂得到重掺杂层(22)。
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁伊央，杨力建，倪梁，
申请(专利权)人：深圳市汇投智控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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