【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种包括熔断器存储电路的半导体集成电路。
技术介绍
1、众所周知，微调是一种用于在制造后调整各种半导体器件的特性和改变其配置的技术。微调可以连续地(以模拟方式)或离散地(以数字方式)执行。最近，数字微调因其成本优势而成为首选。
2、成本优势的原因是小型化使得更容易使用面积有效的数字电路，并且消除了对诸如激光微调等额外测试流程的需要。
3、此外，由于微调值是固定的，通过切换功能和消除由于冗余电路的开/关而导致的缺陷产品来提高合格率也是首选数字微调的因素。
4、以下方法称为数字微调方法。
5、·非易失性存储器(eeprom、闪存、feram、mram、pram等)
6、·熔断器(多晶硅熔断或金属线熔断)
7、·反熔断器(齐纳击穿或栅极氧化膜击穿)
8、熔断器存储电路通常包括诸如多晶硅或金属线等熔断器元件，以及与熔断器元件串联连接的晶体管。通过切断/导通熔断器元件，在熔断器存储电路中保持(或保持)一位的信息。在编程(微调)过程中，在晶体管和熔断器元件...
【技术保护点】
1.一种半导体集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述第一电压电平基本上等于所述外部电源电压。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中所述电源电路包括：
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压电路包括：
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压电路是源极跟随器电路或发射极跟随器电路。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其中所述电源控制电路包括：
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压元件是场效应晶体管，所述场...
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述第一电压电平基本上等于所述外部电源电压。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中所述电源电路包括：
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压电路包括：
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压电路是源极跟随器电路或发射极跟随器电路。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其中所述电源控制电路包括：
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其中所述恒定电压元件是场效应晶体管，所述场效应晶体管的栅极和漏极相连。
8.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其中所述电源控制电路包括：
9.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中电压...
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