【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、非移动计算设备和数据服务器。存储器可以是非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。
2、非易失性存储器的一个示例是磁阻式随机存取存储器(mram)，与使用电子电荷存储数据的一些其他存储器技术相比，该mram使用磁化来表示存储的数据。一般来讲，mram包括在半导体衬底上形成的大量磁性存储器单元，其中每个存储器单元都代表一个数据位。通过改变存储器单元内的磁性元件的磁化方向将数据位写入存储器单元，并且通过测量存储器单元的电阻来读取位(低电阻通常表示“0”位，且高电阻通常表示“1”位)。如本文所用，磁化方向是磁矩的取向的方向。一些存储器单元可包括选择器器件，诸如双向阈值开关或其它选择器器件。
3、虽然mram是一项很有前途的技术，但仍存在许多设计和工艺挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一开关电阻是所述选择器元件在制造时的电阻。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述选择器元件被配置为响应于在所述选择器元件上执行的形成操作，而不可逆地从所述第一开关电阻切换到所述第二开关电阻。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元被配置为通过施加包括第一电压的一个或多个脉冲来进行第一次编程。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一电压包括所述选择器元件的形成电压。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述存储器单元被配置为通过...
【技术特征摘要】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一开关电阻是所述选择器元件在制造时的电阻。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述选择器元件被配置为响应于在所述选择器元件上执行的形成操作，而不可逆地从所述第一开关电阻切换到所述第二开关电阻。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元被配置为通过施加包括第一电压的一个或多个脉冲来进行第一次编程。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一电压包括所述选择器元件的形成电压。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述存储器单元被配置为通过施加包括大于所述第一电压的第二电压的一个或多个脉冲来进行第二次编程。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述存储器单元被配置为通过施加包括大于所述第二电压的第三电压的一个或多个脉冲来进行第三次编程。
8.根据权利要求1所述的装置，其中：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第二电阻进一步包括所述第一存储器元件电阻或所述第二存储器元件电阻。
10.根据权利要求8所述的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·林，D·侯赛梅丁，M·N·A·特兰，
申请(专利权)人：闪迪技术公司，
类型：发明
国别省市：
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