【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，具体而言，涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗系统。
技术介绍
1、现有的所有半导体制程都需要清洗机，清洗机的清洗能力直接影响工艺的稳定和产品的良率,晶圆清洗不干净会使后面的制程都有异常，造成经济损失，一般的清洗机都是将多片晶圆同时在一个清洗槽浸泡和震荡清洗，由于清洗时在同一个槽，清洗液没有循环，清洗槽的环境越来越差，震荡清洗方式还会影响晶圆的应力，容易造成晶圆的碎裂，所以，目前的清洗装置的清洗洁净度不高，导致晶圆成品率下降。
2、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗系统，能够将晶圆清洗做到较好，有效提高晶圆表面的洁净度，从而提高晶圆的成品率。
2、第一方面，本申请提供了一种晶圆清洗方法，包括步骤：
3、a1.将待清洗的晶圆上料，采用等离子体法对所述晶圆的表面进行颗粒和杂质清除；
4、a2.对所述晶圆进行静电处理；
5、a3.对所述晶圆进行冲
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤A1包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设真空度范围为10Pa-100Pa。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述射频功率的范围为100W-400W。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤A2包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤A3包括：
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤A
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a1包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设真空度范围为10pa-100pa。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述射频功率的范围为100w-400w。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a2包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a3包括：
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a4包括：
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，衣新燕，廖东园，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。