纳米晶合金薄带和磁性片制造技术

本发明专利技术提供一种高饱和磁通密度、高导磁率的具有优异磁特性的纳米晶合金薄带。由组成式(Fe<subgt;1‑x</subgt;A<subgt;x</subgt;)<subgt;a</subgt;Si<subgt;b</subgt;B<subgt;c</subgt;Cu<subgt;d</subgt;M<subgt;e</subgt;表示，A为Ni和Co中的至少1种，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf和W中的至少1种元素，以原子％计，由75.0≤a≤81.0、9.0≤b≤17.5、5.0≤c≤10.0、0.02≤d≤1.5、0.1≤e≤3.5、0≤x≤0.1构成，平均结晶粒径为50nm以下的αFe结晶相以体积率计占40％以上，饱和磁通密度为1.36T以上，剩余磁通密度Br与8000A/m磁场的磁通密度B<subgt;8000</subgt;之比Br/B<subgt;8000</subgt;为0.20以上，最大导磁率为4000以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及具有纳米晶体结构的纳米晶合金薄带和使用其的磁性片。

技术介绍

1、已知具有纳米晶体结构的低磁致伸缩的纳米晶合金薄带。纳米晶合金薄带具备导磁率高、损耗也低这样的优异磁特性，在宽的频带显示出这些优异的磁特性。纳米晶合金薄带被用于变压器、电动机、扼流线圈、磁屏蔽、电流传感器等磁性部件。

2、作为这些磁性部件，随着半导体等的高频化，使工作频率更高的规格的部件也增多，与此相伴，将使用的软磁性材料替换为纳米晶合金薄带的情况逐渐增加。此时，为了实现部件的进一步小型化，要求进一步提高约1.2t的低磁致伸缩的纳米晶合金薄带的饱和磁通密度。

3、另外，近年来，在手机、小型电子产品、电子器件及电动汽车等的充电方法中正在采用或正在研究采用非接触充电。在非接触充电装置中，作为发射接收线圈的磁芯或磁屏蔽用软磁性材料，有时使用纳米晶合金薄带。作为非接触充电用的软磁性材料所要求的主要特性为高导磁率、低损耗、高饱和磁通密度及薄型化。

4、目前，非接触充电的电力传输中主要使用的频带为100khz左右，主要使用的软磁性材料限定于铁氧体和纳米晶合金薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米晶合金薄带，其由组成式(Fe1-xAx)aSibBcCudMe表示，A为Ni和Co中的至少1种，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf和W中的至少1种元素，以原子％计，由75.0≤a≤81.0、9.0≤b≤18.0、5.0≤c≤10.0、0.02≤d≤1.2、0.1≤e≤1.5、0≤x≤0.1构成，平均结晶粒径为50nm以下的αFe结晶相以体积率计占40％以上，饱和磁通密度为1.36T以上，剩余磁通密度Br与8000A/m磁场的磁通密度B8000之比Br/B8000为0.20以上，最大导磁率为4000以上。

2.根据权利要求1所述的纳米晶合金薄带，其中，沿所述纳米晶合...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种纳米晶合金薄带，其由组成式(fe1-xax)asibbccudme表示，a为ni和co中的至少1种，m为选自nb、mo、v、zr、hf和w中的至少1种元素，以原子％计，由75.0≤a≤81.0、9.0≤b≤18.0、5.0≤c≤10.0、0.02≤d≤1.2、0.1≤e≤1.5、0≤x≤0.1构成，平均结晶粒径为50nm以下的αfe结晶相以体积率计占40％以上，饱和磁通密度为1.36t以上，剩余磁通密度br与8000a/m磁场的磁通密度b8000之比br/b8000为0.20以上，最大导磁率为4000以上。

2.根据权利要求1所述的纳米晶合金薄带，其中，沿所述纳米晶合金薄带的长度方向施加80a/m磁场时的磁通密度b80l与沿着与所述长度方向正交的宽度方向施加80a/m磁场时的磁通密度b80w之比、即b80l/b80w为0.60～1.40，且b80l、b80w均为0.4t以上。

3.根据权利要求1或2所述的纳米晶合金薄带，其中，饱和磁致伸缩为...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川雄一，丰永词，
申请(专利权)人：株式会社博迈立铖，
类型：发明
国别省市：