【技术实现步骤摘要】
本申请属于光伏，尤其涉及一种硅料的加料方法。
技术介绍
1、单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。目前主要采用直拉法生产单晶硅。但是，直拉法中所使用的颗粒硅因其生产工艺的原因，颗粒硅中含有一定量的氢，在高温下熔料时容易出现氢跳和溅硅等问题，影响单晶硅的质量。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种硅料的加料方法，能够降低颗粒硅氢跳和溅硅风险，提高单晶硅的质量。
2、第一方面，本申请提供了一种硅料的加料方法，包括：
3、通过加料筒依次向坩埚中加入多筒硅料，第一筒和最后一筒硅料为小料，其余筒硅料为颗粒硅；
4、在所述多筒硅料的加料过程中，通过加热器持续对所述坩埚中的硅料进行加热；
5、其中，相邻两筒硅料的加料间隔时间为所述坩埚液面的固体占比达到预设占比所需要的时间以及预设间隔时间中的最小值。
6、根据本申请的硅料的加料方法，每向坩埚中加入一桶硅料后，间隔一定时间向坩埚中加入下一桶硅料，其中加料间隔时间为坩埚液面的固体占比达到预设占比所需要的时间以及预设间隔时间中的最小值，以避免加料间隔时间过长，避免坩埚中液体比重过大，从而降低颗粒硅硅氢跳和溅硅风险，提高单晶硅的质量。
7、根据本申请的一个实施例，所述预设占比为80％-100％，所述预设间隔时间为20min-35min。
8、根据本申请的一个实施例，所述预设占比为95％，
9、根据本申请的一个实施例，所述其余筒硅料为100％颗粒硅。
10、根据本申请的一个实施例，所述方法还包括：
11、在所述多筒硅料的加料过程中，调整所述加热器的加热功率，使所述颗粒硅加料过程中的所述加热功率比所述小料加料过程中的所述加热功率减小8％-10％。
12、根据本申请的一个实施例，所述方法还包括：
13、在所述多筒硅料的加料过程中，调整所述加料筒的出料口与水冷屏之间的第一距离，使所述颗粒硅加料过程中的所述第一距离比所述小料加料过程中的所述第一距离增大20％-30％。
14、根据本申请的一个实施例，所述调整所述加料筒的出口与水冷屏之间的第一距离，包括：
15、调整加料筒的出料口的位置，以调整所述加料筒的出料口与水冷屏之间的第一距离。
16、根据本申请的一个实施例，所述调整加料筒的位置，包括：
17、调整法兰支撑管的长度，以调整法兰盘的位置，以调整所述加料筒的出料口的位置，所述法兰盘套设于所述加料筒上，所述法兰支撑管与所述法兰盘相连接。
18、根据本申请的一个实施例，所述方法还包括：
19、在所述多筒硅料的加料过程中，调整所述加料筒的出料口与所述坩埚之间的第二距离，使所述颗粒硅加料过程中的所述第二距离比所述小料加料过程中的所述第二距离增大10％-15％。
20、根据本申请的一个实施例，所述调整所述加料筒的出口与所述坩埚之间的第二距离，包括：
21、调整所述坩埚的位置，以调整所述加料筒的出料口与所述坩埚之间的第二距离。
22、根据本申请的一个实施例，所述方法还包括：
23、在所述多筒硅料的加料过程中，通入氩气，并调整所述氩气的流量，使所述颗粒硅加料过程中的所述氩气的流量比所述小料加料过程中的所述氩气的流量增大25％-50％。
24、本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：
25、每向坩埚中加入一桶硅料后，间隔一定时间向坩埚中加入下一桶硅料，其中加料间隔时间为坩埚液面的固体占比达到预设占比所需要的时间以及预设间隔时间中的最小值，以避免加料间隔时间过长，避免坩埚中液体比重过大，从而降低颗粒硅硅氢跳和溅硅风险，提高单晶硅的质量；
26、颗粒硅加料时对应的加热器的加热功率低于小料加料时对应的加热器的加热功率，以达到节能目的的，同时可以防止颗粒硅过快熔化，且减小高温对坩埚的损伤，延长坩埚的寿命；
27、颗粒硅加料时增大加料筒的出料口与水冷屏之间的距离，减少加料过程中粉尘向上飞散附着到水冷屏表面的风险，从而减少由于粉尘掉落造成的拉晶过程中的晶棒断线风险；
28、颗粒硅加料时增大加料筒的出料口与坩埚之间的距离，从而增大水冷屏与坩埚之间的距离，降低熔硅过程中硅液溅到水冷屏的底部的风险，且进一步降低加料过程中粉尘向上飞散附着到水冷屏表面的风险。
29、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种硅料的加料方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述预设占比为80％-100％，所述预设间隔时间为20min-35min。
3.根据权利要求2所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述预设占比为95％，所述预设间隔时间为25min。
4.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述其余筒硅料为100％颗粒硅。
5.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述调整所述加料筒的出口与水冷屏之间的第一距离，包括：
8.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述调整所述加料筒的出口与所述坩埚之间的第二距离，包括：
10.根据权利要求1-9任一项所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法还包括：
【技术特征摘要】
1.一种硅料的加料方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述预设占比为80％-100％，所述预设间隔时间为20min-35min。
3.根据权利要求2所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述预设占比为95％，所述预设间隔时间为25min。
4.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述其余筒硅料为100％颗粒硅。
5.根据权利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：袁得斌，马玉花，任杰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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