钛酸钡基陶瓷介电材料、电容器介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高温度稳定性和高介电常数的钛酸钡基陶瓷介电材料、电容器介质陶瓷及其制备方法，属于陶瓷介质技术领域。其中钛酸钡基陶瓷的介电瓷料以100mol％BaTiO<subgt;3</subgt;为主体材料，并添加6.10～9.00mol％的Dy<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、MgO、MnO<subgt;2</subgt;、CaO和SiO<subgt;2</subgt;作为掺杂材料，其介电常数介于1980～2579之间，室温介电损耗能达到1.00～2.10％，且温度特性满足EIA的X7S要求。本发明专利技术制备的钛酸钡基瓷料的制备工艺简单、性能优良且经济环保，具有巨大的产业化应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷介质，尤其涉及一种钛酸钡基陶瓷介电材料、电容器介质陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor，mlcc)广泛用于通讯设备、汽车电子、产业机器、医疗机器等领域的通信基础设备电路中。近年来，移动电子设备的小型化使得mlcc逐渐向小型化、大容量的方向发展。钛酸钡(batio3)是mlcc中ⅱ类电容器的基体材料，其具有较高的介电常数，但想要得到大容量的钛酸钡基mlcc，需增加叠层数量，导致mlcc的可靠性大幅下降。batio3基陶瓷同样具有高介电常数、良好的铁电、电学和压电性能，在多层陶瓷电容器、压电转能器、压敏电阻等器件中具有广泛的应用前景。但是钛酸钡材料不适用于目前使用环境所需求的性能，因此为提高钛酸钡陶瓷的弛豫行为及介电性能，国内外科研人员为此付出了不懈的努力。发现掺杂改性可以在一定程度上提高bt的介电性能例如相对介电常数的增大以及介电损耗的降低等。因此在此基础上寻求适合于当前掺杂剂的烧结工艺也尤为重要。

2、由美国电子工业协会(electronic industr本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.钛酸钡基陶瓷介电材料，其特征在于：所述钛酸钡基陶瓷介电材料以BaTiO3为主体材料，以Dy2O3、MgO、MnO2、CaO、SiO2作为改性掺杂材料；其中，所述主体材料的添加量为100mol％，所述改性掺杂材料的总添加量6.10mol％～9.00mol％。

2.根据权利要求1所述的钛酸钡基陶瓷介电材料，其特征在于，所述钛酸钡基陶瓷介电材料中，所述Dy2O3的添加量为0.5mol％～0.8mol％，所述MgO的添加量为3.0mol％～4.6mol％，所述MnO2的添加量为0.9mol％～1.1mol％，所述CaO的添加量为0.5mol％～0.7mol％，所述SiO2的添加量...

【技术特征摘要】

1.钛酸钡基陶瓷介电材料，其特征在于：所述钛酸钡基陶瓷介电材料以batio3为主体材料，以dy2o3、mgo、mno2、cao、sio2作为改性掺杂材料；其中，所述主体材料的添加量为100mol％，所述改性掺杂材料的总添加量6.10mol％～9.00mol％。

2.根据权利要求1所述的钛酸钡基陶瓷介电材料，其特征在于，所述钛酸钡基陶瓷介电材料中，所述dy2o3的添加量为0.5mol％～0.8mol％，所述mgo的添加量为3.0mol％～4.6mol％，所述mno2的添加量为0.9mol％～1.1mol％，所述cao的添加量为0.5mol％～0.7mol％，所述sio2的添加量为1.2mol％～1.8mol％。

3.根据权利要求1所述的钛酸钡基陶瓷介电材料，其特征在于，所述batio3的颗粒尺寸为150nm～280nm，所述dy2o3、mgo、mno2、cao、sio2的颗粒尺寸为纳米级颗粒试剂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的钛酸钡基陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，该方法包括：以水热法合成所述主体材料，将所述主体材料和改性掺杂材料混合后依次进行湿法球磨处理、干燥处理，得到所述钛酸钡基陶瓷介电材料。

5.根据权利要求4所述的钛酸钡基陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，所述的湿法球磨处理具体包括：以3mm锆珠作为研磨介质，以无水乙醇进行湿磨，球磨转速为200r/min～28...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蕾，王春，黄雄，王朋飞，于淑会，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：